공급 MOSFET AUIRF8739L2TR 40V 단일 N 채널 칩 자동차 HEXFET 전원
설명
AUIRF8739L2는 최신 자동차 HEXFET® 전력 MOSFET 실리콘 기술과 고급 DirectFET® 패키징 기술을 결합하여 SO-8 또는 5X6mm PQFN의 설치 공간과 0.7mm 프로파일에 불과한 패키지에서 탁월한 성능을 달성합니다.
DirectFET® 패키지는 제조 방법 및 프로세스와 관련하여 애플리케이션 노트 AN-1035를 따를 경우 전력 애플리케이션, PCB 어셈블리 장비 및 기상, 적외선 또는 대류 솔더링 기술에 사용되는 기존 레이아웃 형상과 호환됩니다.
AUIRF8739L2 HEXFET® Power MOSFET은 효율성과 전력 밀도가 중요한 애플리케이션용으로 설계되었습니다.최신 실리콘 기술과 결합된 고급 DirectFET® 패키징 플랫폼을 통해 AUIRF8739L2는 특히 ICE, HEV 및 EV 플랫폼의 모터 드라이브, DC-DC 및 기타 고부하 애플리케이션에서 상당한 시스템 수준 절감 및 성능 향상을 제공할 수 있습니다.이 MOSFET은 최신 처리 기술을 활용하여 실리콘 면적당 매우 낮은 온 저항을 달성합니다.이 MOSFET의 추가 기능은 175°C 작동 접합 온도와 높은 반복 피크 전류 성능입니다.이러한 기능이 결합되어 이 MOSFET은 고전류 자동차 애플리케이션을 위한 매우 효율적이고 견고하며 신뢰할 수 있는 장치가 됩니다.
특징
고급 공정 기술
자동차 모터 드라이브, DC-DC 및 기타 중부하 애플리케이션에 최적화됨
매우 작은 설치 공간 및 로우 프로파일
높은 전력 밀도
낮은 기생 매개변수
양면 냉각
175°C 작동 온도
반복적인 눈사태는 Tjmax까지 허용됨
무연, RoHS 준수 및 무할로겐
자동차 인증
매개변수
| 범주 | MOSFET - 단일 |
| Vgs(일)(최대) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.6m옴 @ 195A, 10V |
| 전력 손실(최대) | 3.8W(Ta), 340W(Tc) |
자주하는 질문
Q. 당신의 제품은 독창적입니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
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Q: 리드타임은 어떨까요?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.
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