회사 블로그 공급/재활용 AOS AON6407 30V 85A 저온 저항 P채널 MOSFET

첸젠 밍기아다 전자제품 회사새롭고 정품 알파와 오메가 반도체 (AOS) 를 공급합니다.AON6407P-채널 전력 MOSFETs 및 사용 된 단위에 대한 높은 가치의 재구매 서비스를 제공합니다.이 제품은 매우 낮은 저항을 달성하기 위해 낮은 저항 DFN 패키지와 첨단 트렌치 MOSFET 기술을 결합합니다., 로드 전환 및 배터리 보호와 같은 고 전류 응용 프로그램에 적합합니다.

AON6407제품 사양:

제품 종류: P 채널 전력 MOSFET

제조사: 알파 & 오메가 반도체 (AOS/Bandai USA)

기술 플랫폼: 첨단 트렌치 MOSFET 기술

정압 (VDS): -30V

연속 배수 전류 (ID): -32A (Ta=25°C) / -85A (Tc=25°C)

펄스 드레인 전류: -200A

켜기 저항 (RDS(켜기): <4.5mΩ @ VGS=-10V, ID=-20A

<6.0mΩ @ VGS=-6V, ID=-20A

포트 소스 전압 (VGS): ±25V

임계 전압 (VGS ((th)): -1.6V ~ -2.6V (일반적으로: -2.1V)

전력 분산 (Ptot): 7.3W (Ta=25°C) / 83W (Tc=25°C)

입력 용량 (Ciss): 3505pF @ VDS=-15V

출력 용량 (Coss): 900 pF

교차 결합 용량 (Crss): 650 pF

전체 게이트 충전 (Qg): 75 nC ~ 105 nC @ VGS = -10 V

전환 시간: 켜기 지연 14 ns / 켜기 지연 94 ns

보디 다이오드 역회복 시간 (Trr): 35 ns

산사태 에너지 (EAS): 101mJ

작동 온도 범위: -55°C ~ +150°C (TJ)

패키지 타입: DFN5×6-8L (8핀, 5×6mm)

장착형: 표면 장착 (SMD)

AON6407제품 특징:

초저열 저항: RDS (동) < 4.5 mΩ VGS = -10 V 및 < 6.0 mΩ VGS = -6 V, 현상 전력 소모를 현저하게 감소시킵니다.

높은 전류 용량: 85A까지의 지속적인 배수 전류 (25°C의 경우 온도) 및 200A까지의 펄스 전류, 높은 전류 응용 프로그램의 요구를 충족

컴팩트 패키지: DFN5 × 6-8L 표면 장착 패키지는 PCB 공간을 절약하고 고밀도 설계에 적합합니다.

빠른 스위치 특성: 단 14 ns의 켜기 지연 및 94 ns의 끄기 지연, 고주파 스위치 응용 프로그램을 지원합니다.

탁월한 열 성능: 커스 단절 열 저항은 1.1°C/W 이하이며 83W 전력 소모를 지원합니다.

높은 신뢰성: 산업용 등급 인증, -55°C에서 +150°C까지의 광범위한 작동 온도 범위

AON6407응용 분야:

로드 전환

배터리 보호 회로

DC-DC 변환기

동시 직렬기

모터 드라이브 제어

전력 관리 시스템

자동차 전자제품 (배터리 관리 장치, 전력 조절 장치)

전문 전자 부품 공급업체로서 Mingjiada Electronics는 장기적이고 안정적인 원형 AOS AON6407 P 채널 MOSFET 공급을 제공하고 고부가가치의 재구매 서비스를 제공합니다.우리는 조달 또는 재구매 파트너십에 대한 문의를 환영합니다!