회사 블로그 공급 리네사 AT45DB081E-SHN-T 데이터 플래시 8Mbit SPI 시리즈 NOR 플래시 메모리 IC

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[첸젠 밍기아다 전자제품 회사]장기 공급 (레네사스)AT45DB081E-SHN-T8Mbit DataFlash ∙1.7V에서 3.6V 범위, SPI 시리즈 또는 플래시 메모리 IC. 아래는 AT45DB081E-SHN-T DataFlash의 제품 정보입니다.

부문 번호:AT45DB081E-SHN-T

패키지: SOIC-8

타입: 데이터 플래시·SPI 시리즈 또는 플래시 메모리 IC

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T는 또한 시스템 전력을 절약하고 프로세서 오버헤드를 줄이고 소프트웨어 개발을 단순화하는그리고 데이터 보안과 무결성을 위한 포괄적인 옵션을 제공합니다..

제품 속성AT45DB081E-SHN-T

메모리 타입: 휘발성 없는
메모리 형식: FLASH
기술: 플래시
메모리 크기: 8Mbit
메모리 조직: 264 바이트 x 4096 페이지
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 85MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: 8μs, 4ms
전압: 1.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: 표면 장착
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm 너비)
공급자의 장치 패키지: 8-SOIC

AT45DB081E-SHN-T의 특징

●일용 1.7V - 3.6V 공급
●시리얼 주변 인터페이스 (SPI) 호환
- SPI 모드 0과 3를 지원합니다.
- 래피드S"M 운영을 지원합니다
● 전체 배열을 통해 연속 읽기 기능
- 85MHz까지
- 저전력 읽기 옵션 최대 15MHz
- 시계~출력 시간 (tv) 최대 6 ns
●사용자가 설정할 수 있는 페이지 크기
- 페이지당 256 바이트
- 페이지당 264 바이트 (예정)
- 페이지 크기는 256 바이트를 위해 공장 미리 구성 될 수 있습니다
●두 개의 완전히 독립적인 SRAM 데이터 버퍼 (256/264 바이트)
- 메인 메모리 배열을 재프로그램하는 동안 데이터를 수신 할 수 있습니다
●유연 한 프로그램 선택
- 바이트/페이지 프로그램 (1에서 256/264 바이트) 직접 메인 메모리에
- 버퍼 쓰기
- 메인 메모리 페이지 프로그램 버퍼
●유연 한 삭제 옵션
- 페이지 삭제 (256/264 바이트)
- 블록 삭제 (2 kB)
- 섹터 삭제 (64 kB)
- 칩 지워 (8 Mbits)
●프로그램 및 삭제 중지/회담
●첨단 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호 기능
- 개별 부문 보호
- 개별 부문 잠금 모든 부문을 영구적으로 읽기 전용으로 만들기 위해
●128바이트, 한 번 프로그래밍 가능한 보안 레지스터 (OTP)
- 64 바이트 공장 고유 식별자로 프로그래밍
- 64 바이트 사용자 프로그래밍
● 하드웨어 및 소프트웨어 제어 리셋 옵션
●JEDEC 표준 제조자 및 장치 ID 읽기
●저전력 소모
- 400nA 초심 전력 다운 전류 (기반)
- 4.5 μA 깊은 전력 다운 전류 (유례)
- 25 μA 대기 전류 (기반)
- 11mA 액티브 리드 전류 (보통 20MHz)
● 내구성: 한 페이지당 최소 100,000번의 프로그램/삭제 사이클
●데이터 보존: 20년
●산업 온도 범위 전체에 적합합니다

AT45DB081E-SHN-T는 다양한 디지털 음성, 이미지, 프로그램 코드 및 데이터 저장 애플리케이션에 이상적으로 적합한 최소 1.7 V, 일련 인터페이스 순차 액세스 플래시 메모리입니다.

AT45DB081E-SHN-T는 또한 매우 빠른 동작을 필요로 하는 애플리케이션에 대한 RapidS 시리즈 인터페이스를 지원합니다.650752 비트의 메모리는 각각 256 바이트 또는 264 바이트의 4,096 페이지로 구성됩니다.

메인 메모리 외에도 AT45DB081E-SHN-T에는 각각 256/264 바이트의 두 개의 SRAM 버퍼가 포함되어 있습니다. 버퍼는 메인 메모리의 페이지가 재프로그램되는 동안 데이터를 수신 할 수 있습니다.두 버퍼 사이의 교류는 지속적으로 데이터 스트림을 작성하는 시스템의 능력을 극적으로 증가시킬 수 있습니다또한 SRAM 버퍼는 추가 시스템 스크래치 패드 메모리로 사용될 수 있습니다.그리고 E2PROM 에뮬레이션 (비트 또는 바이트 변경 가능성) 은 독립적인 세 단계 읽기-변경-쓰기 작업으로 쉽게 처리 할 수 있습니다..

AT45DB081E-SHN-T 랜덤으로 접근하는 일반적인 플래시 메모리와는 달리DataFlash@는 일련 인터페이스를 사용하여 데이터에 순차적으로 액세스합니다.간단한 순차 접근은 활성 핀 수를 크게 줄이고, 단순화된 하드웨어 레이아웃을 촉진하고, 시스템 신뢰성을 높이고, 스위치 잡음을 최소화하며, 패키지 크기를 줄입니다.AT45DB081E-SHN-T는 고밀도, 낮은 핀 수, 낮은 전압, 그리고 낮은 전력이 필수적입니다.

AT45DB081E-SHN-T의 주요 특징

최대 유연성을 위해 제어 가능한 R/W SRAM 버퍼를 포함합니다.
에너지 효율적인 데이터 로깅을 위해 추가된 256 바이트 페이지 지우기와 표준 블록 아키텍처
바이트-쓰기는 Serial NOR 플래시 장치에서 Serial EEPROM 기능을 제공합니다
극심 전원 다운 > 400nA에서 작동
확장 된 Vcc 작동은 시스템 메모리가 전 전압 범위에서 작동 할 수 있습니다.
포괄적 인 보안 및 고유 한 ID 기능은 외부 조작으로부터 장치를 보호합니다.

AT45DB081E-SHN-T의 블록 다이어그램

밍자다 전자데이터 플래시를 공급하고 있습니다.AT45DB081E-SHN-TSPI Serial NOR 플래시 IC는 오랫동안 사용되었습니다. AT45DB081E-SHN-T 메모리에 대한 자세한 내용은 Mingjiada Electronics의 공식 웹 사이트를 방문하십시오 (https://www.integrated-ic.com/) 의 내용입니다.