회사 블로그 공급 STM마이크로 전자 전력 트랜지스터 STL33N60DM2 MOSFET N 채널 600 V, 0.115 오hm 타입.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd 공급 STMicroelectronics STL33N60DM2 N 채널 FDmesh II PlusTM 파워 MOSFET, 새롭고 원래, 품질 보장!

모델 번호: STL33N60DM2

시리즈: MDmeshTM DM2

제품 상태: 판매 중

FET 타입: N 채널

기술: MOSFET (금속 산화물)

배수 소스 전압 (Vdss): 600V

25°C의 전류 - 연속 배수 (Id): 21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 RDS 켜고, 최소 Rds 켜고): 10V

각기 다른 Id에서 온 저항 (최대), Vgs: 140 mOhm @ 10.5A, 10V

다른 Id (max) 에서 Vgs ((th): 5V @ 250μA

포트 충전 (Qg) (최대) Vgs: 43 nC @ 10 V

Vgs (최대): ±25V

입력 용량 (Ciss) 가 변하는 Vds (max): 1870 pF @ 100 V

전력 분산 (최대): 150W (Tc)

작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형: 표면 장착

공급자 장치 패키지: 파워플랫TM (8x8) HV

패키지/하우스: 8-PowerVDFN

소개

ST의 MDmesh DM2 시리즈는 특히 ZVS 단계 전환 브릿지 토폴로지에 적합한 600V 전력 MOSFET인 ST의 최신 패밀리 빠른 복구 다이오드입니다. 그들은 매우 작은 복구 전하와 시간 (Qrr) 을 가지고 있습니다.,trr) 및 20% 낮은 RDS (전 세대와 비교하면) 고 dV/dt 강도 (40V/ns) 는 시스템의 더 높은 신뢰성을 보장합니다.

특징

• 낮은 게이트 전하와 입력 용량
• 이전 세대와 비교하면 낮은 RDS (on) x 면적
• 낮은 게이트 입력 저항
• 용품의 전환을 위해 설계된
• 100%의 산사태 테스트
• 제너 보호
• 높은 dv/dt 및 산사태 능력

더 자세한 정보는 전화로 Chen 씨에게 문의하십시오:

전화: +86 13410018555

이메일: sales@hkmjd.com

웹사이트:www.hkmjd.com