회사 블로그 TI TS3DV642EVM 12채널 1:2 고속 아날로그 스위치 평가 모듈, MIPI/LVDS 설계에 1.8V 논리 호환성

고속 신호 전송 및 지능형 제어 기술 분야에서 평가 모듈은 제품 개발 및 성능 검증의 핵심 도구로 사용됩니다.그들의 신뢰성 및 적응력은 프로젝트 진행 효율성을 직접 결정합니다.전자 부품 공급 부문에서의 오랜 노하우를 활용한 밍기다는 공식적으로 텍사스 인스트루먼트TS3DV642EVM평가 모듈

제품 개요TS3DV642EVM

TheTS3DV642EVM텍사스 인스트루먼트 (TI) 의 12채널 1:2 멀티플렉서/데멀티플렉서 (MUX/DEMUX) 평가 모듈로, TS3DV642 고성능 아날로그 스위치 칩을 평가하기 위해 특별히 설계되었다.이 평가판은 최대 2개의 데이터 전송 속도를 지원합니다..5Gbps, MIPI D-PHY, LVDS 및 RSDS와 같은 고속 차차 신호 표준과 호환되며 지능형 에너지 절감 모드와 1.8V 논리 수준 호환 제어 기능을 통합합니다.그것은 자동차 카메라에서 신호 전환 솔루션에 대한 이상적인 확인 플랫폼으로 사용됩니다., 산업 비전, 의료 영상, 소비자 전자제품 및 기타 분야.

주요 제품 특징TS3DV642EVM

1고속 신호 전환 성능

채널 구성: 12개의 채널 (6개의 디퍼셜 페어) 1:2 MUX/DEMUX, 6×2:1 또는 12×1:2 구성을 지원합니다.

데이터 속도: 채널당 최대 2.5Gbps, MIPI D-PHY (1.5Gbps), LVDS (2.5Gbps), RSDS를 지원합니다.

대역폭: 1.5GHz의 -3dB 대역폭, 고속 신호 무결성을 보장합니다.

낮은 삽입 손실: 2.5GHz에서 전형적인 삽입 손실 -1.5dB, 반환 손실 -15dB

21.8V 로직 호환 제어

제어 레벨: 레벨 전환 IC가 필요하지 않고 1.8V, 2.5V, 3.3V CMOS 로직 레벨을 지원합니다.

제어 핀: SEL 선택 핀과 OE 활성화 핀은 모두 1.8V 논리와 호환되며 프로세서 GPIO에 직접 연결 할 수 있습니다.

ESD 보호: ±8kV HBM, ±2kV CDM 전기 정전 방출 보호

3에너지 절감 모드 및 저전력 설계

에너지 절감 모드: OE 핀이 높게 당겨지면 정전류를 10μA로 줄이는 경우 높은 저항 상태로 들어가

작동 전력 소비: 전형적인 활성 모드 전력 소비 15mW (2.5Gbps, 3.3V)

종료 격리: -40dB @ 2.5GHz, 신호 교란을 효과적으로 방지합니다.

4전기 매개 변수

작동 전압: 2.3V ~ 4.3V (VCC), 3.3V/2.5V 시스템과 호환됩니다.

신호 전압 범위: 0V에서 VCC (레일-레일)

켜면 저항: 전형적인 6Ω (3.3V), 8Ω (2.5V)

채널과 채널 오차: 200ps (유례적으로) 이차 신호 쌍 일치를 보장합니다

전환 시간: tON=10ns, tOFF=8ns (3.3V)

5패키지 및 평가 위원회 인터페이스

칩 패키지: TS3DV642는 HTQFP-48 (7mm × 7mm) 패키지를 사용합니다.

평가판 크기: 표준 2인치 × 2인치 (50.8mm × 50.8mm)

인터페이스 설계:

입력 포트: J1-J6 SMA 커넥터, 단일 끝 또는 차분 신호 입력을 지원

출력 포트: J7-J12 SMA 커넥터, 두 개의 선택 가능한 출력

제어 인터페이스: 점퍼 캡은 SEL 및 OE 로직 레벨을 구성합니다.

테스트 포인트: VCC, GND, SEL, OE 오실로스코프 탐지 인터페이스

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