티UCC27712DR인터록 기능이 있는 620V 하프 브리지 드라이버
심천 Mingjiada 전자 유한 공사,세계적으로 유명한 전자 부품 유통업체로서 TI에 제품을 공급하고 있습니다.UCC27712DR620V 하프 브리지 게이트 드라이버.
이 드라이버는 인터록 및 데드타임 보호와 같은 안전 기능과 함께 620V의 높은 작동 전압, 2.8A의 피크 싱크 전류, 1.8A의 싱크 전류 성능을 갖춘 모터 드라이브 및 전력 변환 애플리케이션을 위한 매우 안정적인 솔루션을 제공합니다.
【UCC27712DR상품 설명】
UCC27712DR은 1.8A 싱크 전류 및 2.8A 소스 전류 성능을 갖춘 620V 하이 측 및 로우 측 게이트 드라이버로, 전력 MOSFET 또는 IGBT를 구동하도록 특별히 설계되었습니다.
IGBT의 경우 권장되는 VDD 작동 전압은 10~20V입니다. 전력 MOSFET의 경우 권장되는 VDD 작동 전압은 10V~17V입니다.
그만큼UCC27712DR입력이 개방 회로로 유지되거나 최소 입력 펄스 폭 사양이 충족되지 않을 때 출력이 낮게 유지되는 보호 기능이 통합되어 있습니다. 인터록 및 데드타임 기능은 두 출력이 동시에 켜지는 것을 방지합니다. 또한 이 장치는 넓은 바이어스 공급 범위를 수용하고 VDD 및 HB 바이어스 공급 모두에 대해 UVLO 보호 기능을 제공합니다.
고급 고전압 장치 기술을 채택한 UCC27712DR은 큰 네거티브 입력 전압 허용 오차, 높은 dV/dt 허용 오차, 스위칭 노드의 넓은 네거티브 과도 안전 작동 영역(NTSOA) 및 인터로킹을 포함하여 탁월한 잡음 및 과도 내성을 갖춘 강력한 드라이버를 갖추고 있습니다.
그만큼UCC27712DR접지된 기준 채널(LO)과 부동 채널(HO)을 통합하며 후자는 부트스트랩 또는 절연 전원 공급 장치 작동 전용입니다. 이 장치는 빠른 전파 지연과 두 채널 간의 탁월한 지연 매칭을 나타냅니다. UCC27712DR의 각 채널은 해당 입력 핀 HI 및 LI에 의해 제어됩니다.

【UCC27712DR주요 매개변수 및 성능 사양】
UCC27712DR은 2.8A 싱크 및 1.8A 소스의 피크 출력 전류로 뛰어난 구동 성능을 제공하여 전력 장치의 신속한 스위칭을 가능하게 하여 스위칭 손실을 최소화합니다.
그만큼UCC27712DR일반적인 상승 시간은 16ns, 일반적인 하강 시간은 10ns, 전파 지연은 100ns, 채널 간 일반적인 지연 정합은 12ns로 빠른 동적 응답을 나타냅니다.
UCC27712DR의 견고성은 칭찬할 만합니다. 50V/ns dV/dt 내성, HS 핀에서 최대 -11V의 논리 작동 전압, 최저 -5V의 네거티브 입력 전압 허용 오차를 제공합니다.
-40°C ~ +125°C의 넓은 작동 온도 범위 덕분에 다양한 열악한 환경에서 작동하는 데 적합합니다.
【UCC27712DR인터록 기능 및 시스템 안전성】
UCC27712DR의 가장 눈에 띄는 특징은 통합 인터록 기능으로, 하프 브리지 회로의 통과 전류를 완벽하게 방지합니다.
이 인터록은 이중 입력 설계를 통해 달성됩니다. 두 입력 신호가 동시에 높을 때 드라이버는 내부 150ns 데드 타임을 통합하여 어느 출력도 동시에 전도되지 않도록 보장합니다.
이 하드웨어 수준 인터록 메커니즘은 추가적인 시스템 안전성을 제공하여 제어 회로가 오작동하는 경우에도 전원 스위치 바이패스로 인한 치명적인 오류를 방지합니다.
입력이 개방 회로로 유지되거나 최소 펄스 폭 사양을 충족하지 못하는 경우 출력은 낮게 유지되어 시스템 신뢰성을 더욱 향상시킵니다.

【UCC27712DR응용 도메인】
UCC27712DR은 다양한 전력 전자 애플리케이션에 적합합니다.
모터 드라이브: 스테퍼 모터, HVAC, 팬, 전동 공구, 로봇 공학 및 드론 포함
전력 변환: 서버, 통신, IT 및 산업 인프라의 고밀도 스위칭 모드 전원 공급 장치를 위한 오프라인 AC/DC 전원 공급 장치의 브리지 컨버터
에너지 변환: 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 시스템 등 DC-AC 인버터
자동차 전자 장치: 자동차 애플리케이션에 적합한 자동차 등급 버전 UCC27712QDRQ1
DC/AC 컨버터 섹션 내에서UCC27712DR고전압, 고속 전력 MOSFET 및 IGBT 드라이버로 작동하며 최대 작동 전압이 600V인 하이사이드 구성에서 N채널 전력 장치를 구동할 수 있습니다.

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