회사 블로그 비샤이 SIR680 N 채널 80V MOSFET 시리즈 대용품

첸젠 밍기아다 전자제품 회사비샤이의 대용량의 장기적 재고를 유지합니다.SIR680N 채널 80V (D-S) MOSFET 시리즈,SIR680ADP본래 제품 보증, 방대한 재고 및 매우 경쟁력 있는 가격으로, 우리는 효율적이고 신뢰할 수 있는 전력 장치 공급 서비스를 전 세계 고객에게 제공합니다.

난...SIR680제품 개요

비샤이SIR680이 시리즈는 트렌치FET® Gen IV 기술을 활용한 새로운 세대의 N 채널 전력 MOSFET이며, 80V 드레인 소스 전압 (Vds) 및 최대 100A ∼ 130A의 연속 드레인 전류 용량을 갖추고 있습니다.이 장치는 PowerPAK® SO-8 표면 장착 패키지에 장착되어 있습니다., 산업 선도적인 전력 밀도와 소형 6.15 mm × 5.15 mm 발자국 내에서 열 성능을 제공합니다.

SIR680ADP

높은 전력 밀도 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 SIR680 시리즈는 극저전 저항 (RDS(on)) 과 극저전전량 (Qg) 의 훌륭한 조합을 제공합니다.전력 변환 효율을 크게 향상시키고 시스템 전력 소비를 줄일 수 있습니다..

II. 주요 특징 및 기술적 장점

1초저열 저항 (RDS))

의SIR680시리즈 MOSFET는 매우 낮은 전원 저항을 특징으로하며, 전도 손실을 효과적으로 줄입니다.

SIR680ADP: 2.35 mΩ (기반) @ 10 V 125 A

2업계 최고의 명예인 (FOM)

SIR680ADP는 저항과 게이트 충전 (RDS × Qg) 의 곱하기 129 mΩ·nC의 피그어 오브 메리트 (FOM) 를 달성합니다.80V MOSFET 제품 중 가장 우수한 제품이며 가장 가까운 경쟁자보다 13% 높습니다.이 핵심 메트릭은 전력 변환 응용 프로그램에서 스위치 효율을 직접 결정합니다. FOM 값이 낮을수록 스위치 손실이 낮습니다.

3트렌치FET® 4세대 기술

네 번째 세대의 트렌치FET 기술의 대표 제품인 SIR680 시리즈는 다음과 같은 분야에서 포괄적으로 최적화되었습니다.

매우 낮은 RDS-Qg 가치 수치

특히 가장 낮은 RDS-Qoss 가치에 맞춰

장치의 신뢰성을 보장하기 위해 Rg 및 UIS (클램프되지 않은 인덕터 스위칭) 에 대한 100% 테스트

4탁월한 열성능

최대 전력 소모 (Pd): 104W

작동 온도 범위: 55 °C ~ + 150 °C

PowerPAK® SO-8 패키지는 훌륭한 열 경로를 제공합니다

5. 낮은 게이트 충전, 높은 주파수 스위치를 지원

전형적인 게이트 충전 Qg: 40.5 nC ~ 69.5 nC (모델에 따라)

낮은 입력 용량 (Ciss), 더 높은 스위치 주파수를 지원

III. 전형적인 응용 분야

비샤이SIR680시리즈 MOSFET는 다양한 중고 저전압, 고 전력 밀도 전력 변환 응용 프로그램에서 널리 사용됩니다.

전력 변환

동시 수정

1차 변속기

DC/DC 변환기 (박, 부스트 및 박-부스트 토폴로지)

AC/DC 전력 변환

레조넌트 스위칭 변환기

서버 및 통신 장비

서버 전원 공급 장치 (PSU)

데이터 센터 48V 버스 전력 시스템

통신 인프라 전원 공급

OR 기능 회로

산업 및 모터 제어

산업용 모터 드라이브 및 세르보 제어 시스템

주파수 변환기

전동 도구 모터 드라이브

새로운 에너지 및 에너지 저장

태양광 마이크로 인버터

배터리 관리 시스템 (BMS) 에서 배터리 전환

로드 스위치

결론

비샤이SIR680N 채널 80V MOSFET 시리즈, TrenchFET Gen IV 기술의 뛰어난 성능과업계에서 선도적인 FOM 값과 최대 130A의 전류 능력은 서버 전원 공급 장치와 같은 높은 전력 밀도 응용 프로그램에 대한 스위치 장치의 이상적인 선택이되었습니다., DC/DC 변환 및 모터 드라이브

?? 진 밍지아다 일렉트로닉스 (Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.) 는 비샤이 SIR680 시리즈 MOSFET의 대용량을 보유하고 있습니다 (SIR680ADP) 를 통해 새로운 고객과 기존 고객들의 제안과 샘플 구매에 대한 문의를 환영합니다.

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