전자 부품 분야에서 고성능, 고신뢰성 MOSFET 제품은 다양한 전자 장치의 안정적인 작동에 매우 중요합니다. 오늘, Mingjiada Electronics는 Vishay의 정품, 재고가 있는 최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오:SIZF918DT-T1-GE3
최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오: 제품 개요
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 Vishay SIZF918DT-T1-GE3 고성능 듀얼 N 채널 MOSFET을 재고로 제공합니다. 이 제품은 고급 TrenchFET® 기술을 사용하여 두 개의 N 채널 MOSFET과 쇼트키 다이오드를 통합하고 있으며, 30V 드레인-소스 전압과 40/60A 드레인 전류 기능을 갖추고 있습니다. SIZF918DT-T1-GE3은 공간 제약적인 응용 분야에 적합한 컴팩트한 8-PowerPair® 패키지(6x5)를 사용합니다.
이 최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오: MOSFET은 6.8mΩ 및 2.7mΩ의 매우 낮은 온 저항을 나타내어 스위칭 및 전도 손실을 크게 줄입니다. 22/56nC의 게이트 전하를 통해 SIZF918DT-T1-GE3은 높은 스위칭 주파수를 지원하여 효율적인 전력 관리에 이상적인 선택입니다. -55°C에서 150°C의 온도 범위 내에서 작동하는 SIZF918DT-T1-GE3은 산업 등급 응용 분야에 적합합니다.
최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오: 제품 특징
SIZF918DT-T1-GE3은 로직 레벨 게이트 설계를 사용하여 마이크로컨트롤러 및 디지털 신호 프로세서와의 직접적인 인터페이스를 용이하게 합니다. 각 SIZF918DT-T1-GE3은 하프 브리지 토폴로지로 구성된 두 개의 독립적인 N 채널 MOSFET을 통합하여 동기 정류 및 모터 드라이브 응용 분야에 매우 적합합니다.
이 SIZF918DT-T1-GE3 장치는 또한 쇼트키 배리어 다이오드를 통합하여 스위칭 전원 공급 장치에서 전압 스파이크 및 전자기 간섭을 완화하는 데 도움이 되는 우수한 역 회복 특성을 제공합니다. 26.6/50W의 총 전력 소모로 SIZF918DT-T1-GE3은 열 관리 요구 사항과 성능의 균형을 맞춥니다. SIZF918DT-T1-GE3은 표면 실장 기술을 사용하여 자동화된 PCB 조립에 적합합니다.
응용 분야
최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오:는 여러 도메인에서 광범위하게 적용됩니다:
전력 관리 시스템: DC-DC 컨버터, 스위치 모드 전원 공급 장치 및 전압 조정 모듈 포함
자동차 전자 장치: 모터 드라이브, 조명 제어 및 12V 전원 분배 시스템 등
산업 자동화: 릴레이 드라이버, 모터 제어 및 전원 스위치
소비자 전자 제품: 스마트폰, 태블릿 및 휴대용 장치의 전력 관리
SIZF918DT-T1-GE3최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오:품질 보증 및 가용성
Mingjiada Electronics는 공급되는 모든 SIZF918DT-T1-GE3이 정품임을 보장합니다. 우리는 엄격하게 품질 검사 절차를 구현하여
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Mingjiada Electronics를 선택해야 하는 이유
경험이 풍부한 전자 부품 공급업체인 Mingjiada Electronics는 광범위한 산업 전문 지식과 강력한 공급망 자원을 보유하고 있습니다. 우리는
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에 대한 자세한 내용이나 샘플 요청은 당사 영업팀에 문의하십시오. Mingjiada Electronics는 SIZF918DT-T1-GE3의 신뢰할 수 있는 공급 파트너입니다.최신 견적 및 상세 사양을 얻으려면 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오: 담당자: Mr. Chen
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