회사 블로그 WeEn WNSC2D401200CW 고주파 스위치 모드 전원 공급 장치용 이중 실리콘 탄화물 쇼트키 다이오드

위엔WNSC2D401200CW고주파 스위치 모드 전원 공급 장치용 듀얼 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드

첸젠 밍기다 전자제품 회사, Ltd전자 부품 공급 업계의 선도 기업으로서,WNSC2D401200CW고주파 스위치 전원 공급 장치용 듀얼 채널 실리콘 카비드 쇼트키 다이오드. 실리콘 카비드 (SiC) 전력 장치 가족의 중요한 구성원으로서WNSC2D401200CW고효율의 전력 전자 시스템 설계에 가장 선호되는 장치 중 하나가 되고 있습니다.고온 작동 능력.

제품 개요WNSC2D401200CW
WNSC2D401200CW는 WeEn Semiconductor의 듀얼 채널 실리콘 카비드 쇼트키 다이오드이며, 고주파 스위칭 전원 공급 애플리케이션에 최적화되었습니다.WNSC2D401200CW는 첨단 실리콘 탄화물 재료 기술을 기반으로 1200V 역 반복 최고 전압 (VRRM) 및 40A 연속 전류 (IF) 기능을 갖추고 있습니다., 고온 환경에서 우수한 전기 성능을 유지합니다. 여전히 고온 환경에서 우수한 전기 성능을 유지합니다.

WNSC2D401200CW의 가장 큰 장점은 기존의 실리콘 기반의 쇼트키 다이오드보다 거의 0의 역 회수 특성이 있습니다.기존의 실리콘 다이오드는 턴오프 시 상당한 역회복 전류를 생성합니다., 추가 전환 손실 및 EMI 노이즈를 초래합니다. 그러나 WNSC2D401200CW 실리콘 카비드 쇼트키 다이오드는근본적으로 넓은 대역폭 반도체 재료의 물리적 특성에 기초하여이 현상을 제거합니다., 효율성을 희생하지 않고 더 높은 주파수에서 시스템을 작동 할 수 있습니다.

WNSC2D401200CW의 듀얼 채널 설계는 전원 공급 토폴로지에 대한 설계 유연성을 증가시킵니다. 엔지니어들은 두 개의 독립 다이오드를 겹쳐진 PFC 회로에 사용할 수 있습니다.듀얼 스위치 전면 변환기, 또는 절반 / 전체 브릿지 교정 응용 프로그램, 공유 히트 싱크로 시스템 열 관리를 단순화합니다.TO-247-3L 패키지는 기존 디자인과 호환되는 산업 표준 핀아웃 배열을 갖추고 있습니다., 고객들을 위한 장치 교체 및 성능 업그레이드를 쉽게 허용합니다.

주요 매개 변수WNSC2D401200CW
전압 및 전류 사양: VRRM=1200V, IF=40A (연속), IFSM=120A (파수)
전도 특성: 전형적인 전압 하락 VF=1.7V (@IF=20A, TJ=25°C)
스위칭 성능: 거의 0 회전 회전 전하 (Qrr<30nC), 스위칭 손실이 현저히 감소합니다.
열 특성: 작동 접점 온도 범위 -55°C ~ +175°C, 열 저항 RθJC=0.5°C/W
패키지: TO-247-3L 이중 채널 패키지, 최적화 된 열 설계

기술적 장점WNSC2D401200CW
WeEn WNSC2D401200CW 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드는 전력 반도체 기술의 최첨단 발전을 대표합니다.그리고 그 기술적인 장점은 하나의 매개 변수에만 반영되지 않습니다.WNSC2D401200CW 장치는 세 가지 차원에서 설계자에게 중요한 가치를 제공합니다. 효율성,전력 밀도와 신뢰성.

효율성 향상:
극저소 스위치 손실: Qrr <30nC는 상당한 손실 증가 없이 스위치 주파수를 수백 kHz까지 증가시킬 수 있습니다.시리콘 기반의 빠른 회복 다이오드와 비교하여 전환 손실을 80% 이상 감소시킵니다..
고온 안정성: WNSC2D401200CW는 175°C에서 VF 변동이 15% 미만이며, 일반적으로 실리콘 장치와 관련된 30% 이상의 성능 저하와 비교된다.
최적화 된 전도 손실: 긍정적 인 온도 계수 VF 특성으로 인해 여러 장치가 자연 전류 균형에 동행하여 사용할 수 있습니다.

전력 밀도의 향상:
WNSC2D401200CW의 고주파 능력은 더 작은 수동 구성 요소 (인덕터, 콘덴서, 트랜스포머) 를 사용할 수 있으며 시스템 크기를 30-50% 감소시킵니다.
듀얼 채널 통합 설계는 PCB 공간을 절약하고 레이아웃을 단순화
탁월한 열 성능은 열 방울 크기 요구 사항을 줄입니다.

신뢰성 향상:
실리콘 카바이드 물질의 고유한 높은 비판 분해 필드 강도 (2-4MV/cm, 실리콘보다 5-10배 더 높습니다) 는 고전압 하에서 안정적인 작동을 보장합니다.
WNSC2D401200CW는 방사능에 저항하고 항공우주 및 다른 혹독한 환경에 적합합니다.
선도적 변조 효과가 없으므로 동적 산사태로 인한 장애 모드를 피합니다.

적용WNSC2D401200CW
서버 전원 공급 및 데이터 센터 전원 공급 시스템: WNSC2D401200CW는 80Plus 티타늄 전원 공급 장치에 SiC 다이오드를 사용하여 전체 기계의 효율이 96%를 초과 할 수 있습니다.가동 전력 비용을 크게 줄이는 것
전기차 탑재 충전기 (OBC): WNSC2D401200CW는 엔진 부리의 고온 환경에 견딜 수 있는 동시에 높은 전력 밀도의 요구를 충족시킵니다.
태양광광 인버터: MPPT 효율이 1-2 퍼센트 포인트 증가하여 발전 시간을 연장
산업용 모터 드라이브: 고 주파수 스위칭은 전류 파동, 모터 열 및 소음을 감소시킵니다.
무선 충전 시스템: 더 작은 송신기와 수신 코일을 달성하기 위해 MHz 클래스 작동 주파수

전형적인 응용 회로WNSC2D401200CW
융합 부스트 PFC: 두 개의 채널은 두 단계 융합 회로에서 열 방울을 공유하는 동안 입력 전류 파장을 줄이기 위해 사용됩니다.
LLC 공명 변환기: WNSC2D401200CW는 전도 손실을 줄이기 위해 동기 직렬기 병렬 장치로 사용됩니다.
3단계 풀 브릿지 직렬기: 3개의 장치가 고전력 AC/DC 변환을 위한 6채널 시스템을 형성한다.
양방향 DC/DC 변환기: SiC 다이오드의 낮은 Qrr 특성을 이용한 고효율의 양방향 에너지 흐름