Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Wolfspeed 정품 공장 재고 공급 SiC (탄화 규소) MOSFETC3M0075120K 1200 V / 75 mΩ, N 채널 증강 모드
C3M0075120K 제품 개요
C3M0075120K는 Wolfspeed에서 개발한 1200 V, 75 mΩ N 채널 증강 모드 실리콘 카바이드(SiC) 전력 MOSFET입니다. 독립적인 드라이브 소스 핀을 특징으로 하는 최적화된 패키징 설계를 갖춘 3세대 SiC MOSFET 기술을 사용합니다. 이 설계는 C3M0075120K가 고전압 응용 분야에서 매우 우수한 성능을 발휘하는 동시에 낮은 온 저항, 고속 스위칭 성능 및 낮은 정전 용량을 제공할 수 있도록 합니다.
C3M0075120K 특징
높은 차단 전압 및 낮은 온 저항: C3M0075120K는 1200V의 드레인-소스 전압과 75mΩ까지 낮은 온 저항을 가지고 있어 고전압 응용 분야에서 높은 효율을 유지할 수 있습니다.
고속 스위칭 성능: C3M0075120K는 고속 스위칭 기능을 갖추고 있으며 낮은 정전 용량 특성으로 인해 고주파 응용 분야에서 매우 우수한 성능을 발휘할 수 있습니다.
빠른 바디 다이오드: 빠른 바디 다이오드는 낮은 역 회복 전하(Qrr)를 가지고 있어 스위칭 손실을 줄입니다.
높은 신뢰성: C3M0075120K는 RoHS 표준을 준수하고 할로겐 프리이며 높은 신뢰성과 내구성을 위해 설계되었습니다.
패키지 장점: C3M0075120K는 드레인과 소스 사이의 8mm 크리피지 거리를 가진 TO-247-4 패키지를 사용합니다. 이 패키지 설계는 제품의 전기적 안전성과 열 성능을 향상시킵니다.
C3M0075120K 사양
드레인-소스 전압(VDS): 1200V (Tc=25°C)
최대 게이트-소스 전압(VGS): -8V ~ +19V (과도)
작동 게이트-소스 전압(VGS): -4V/15V (정적)
DC 연속 드레인 전류(ID): 31A (VGS=15V, Tc=25°C, Tj≤150°C)
펄스 드레인 전류(IDM): 123A (VGS=15V, Tc=25°C)
전력 소비(PD): 114W (Tc=25°C, Tj=150°C)
작동 접합 온도 및 보관 온도(Tj/Tstg): -55°C ~ +150°C
납땜 온도(Tj): 260°C (JEDEC J-STD-020 준수)
설치 토크(M5): 1.8 ~ 2.5 N-m (M3 또는 6-32 나사 사용)
드레인-소스 온 저항(RDS(on)): 75 mΩ ~ 90 mΩ (VGS = 15 V, ID = 20 A, Tj = 25°C/150°C)
게이트 임계 전압(VGS(th)): 1.8 V ~ 3.6 V (VS = VDS = 100 V, T = 25°C/150°C)
응용 분야
C3M0075120K는 다음 분야를 포함하되 이에 국한되지 않는 다양한 고전압, 고전력 응용 분야에 적합합니다.
재생 에너지: 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템과 같이 시스템 변환 효율과 전력 밀도를 향상시킬 수 있습니다.
전기 자동차 배터리 충전기: 온보드 충전기 및 급속 충전 시스템에 사용되며, 빠른 스위칭 성능은 효율적인 충전을 달성하는 데 도움이 됩니다.
고전압 DC/DC 컨버터: 고전압 DC 변환 응용 분야에서 C3M0075120K는 스위칭 손실을 줄이고 변환 효율을 향상시킬 수 있습니다.
스위치 모드 전원 공급 장치: 다양한 스위치 모드 전원 공급 장치에 적합하여 전원 공급 장치 효율과 전력 밀도를 향상시킵니다.
산업용 난방 및 냉방: 산업용 난방 및 냉방 시스템에서 C3M0075120K는 시스템 효율과 신뢰성을 향상시킵니다.
모터 제어 및 구동: 모터 구동 시스템에서 사용되어 시스템 동적 성능과 효율을 향상시킵니다.
용접 및 유도 가열: 용접 및 유도 가열 응용 분야에서 C3M0075120K는 고전력 출력을 제공합니다.
보조 전원 공급 장치: 데이터 센터 냉각 시스템과 같은 보조 전원 공급 장치 응용 분야에서 C3M0075120K는 시스템 손실을 크게 줄입니다.
뛰어난 성능과 광범위한 적용 가능성을 갖춘 C3M0075120K는 수많은 고전압, 고전력 응용 분야에 이상적인 선택이 되었습니다.
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