제품 상세 정보:
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출력 전류: | 1.2A | 공급 전압 - 민: | 7.5 V |
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공급 전압 - 맥스: | 18V | 상승 시간: | 4 나노 초 |
제품 종류: | 게이트 드라이버 | Rds에 - 드레인-소스 저항: | 30m옴 |
강조하다: | LMG3422R030RQZR GaN FET,GaN FET 600V,600V 통합된 고립된 GaN 게이트 드라이버 |
GaN IC LMG3422R030RQZR 600V 30mΩ GaN FET 통합 드라이버와 격리 게이트 드라이버
설명
LMG3422R030RQZR GaN FET 통합 드라이버와 보호 장치로 설계자가 전력 전자 시스템에서 새로운 수준의 전력 밀도와 효율성을 달성 할 수 있습니다.
LMG3422R030RQZR는 150 V/ns까지의 스위치 속도를 가능하게 하는 실리콘 드라이버를 통합한다. 통합 정밀 게이트 편향은 분리된 실리콘 게이트 드라이버에 비해 더 높은 스위칭 SOA를 초래한다.이 통합은, 낮은 인덕텐스 패키지와 결합하여, 맑은 스위치와 하드 스위치 전원 공급 토폴로지에서 최소한의 울림을 제공합니다.조절 가능한 게이트 드라이브 강도는 20 V/ns에서 150 V/ns까지 썰매 속도를 제어 할 수 있습니다., EMI를 적극적으로 제어하고 스위칭 성능을 최적화하는 데 사용할 수 있습니다. LMG3425R030에는 적응형 정지 시간 제어 기능을 통해 제3 사각지대 손실을 줄이는 이상 다이오드 모드가 포함되어 있습니다.
사양
종류: | 반전, 반전되지 않는 | 패키지: | VQFN-54 |
---|---|---|---|
공급 전압: | 7.5V - 18V | 작동 온도: | -40°C ~ 125°C |
상승 시간: | 2.5 Ns | 가을 시간: | 21 Ns |
특징
신청서
핀 구성 및 기능
다른 공급 제품 종류
부문 번호 | 패키지 |
IPTC017N12NM6 | PG-HDSOP-16 |
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IQE013N04LM6CGSC | PG-WHTFN-9 |
IQE022N06LM5CG | PG-TTFN-9 |
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IPTC012N06NM5 | PG-HDSOP-16 |
ISC800P06LM | PG-TDSON-8 |
ISC750P10LM | 8-PowerTDFN |
IPTG044N15NM5 | HSOG-8 |
IPTG054N15NM5 | PG-HSOG-8 |
IPT039N15N5 | PG-HSOF-8 |
BSZ0902NSI | 8-PowerTDFN |
IPD50N04S4L08 | PG-TO252-3 |
ISC010N06NM5 | PG-TSON-8 |
FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없다면, 우리는 주문량에 따라 납품 시간을 확인 할 것입니다.
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