LMG3411R150RWHR Gan 구동기 집적회로 6A VQFN32 배전 스위치 IC n채널

로드 드라이버 LMG3411R150RWHR Power Distribution Switches N Channel 6A VQFN32

설명

드라이버 및 보호 기능이 통합된 LMG3411R150RWHR GaN FET를 사용하면 설계자는 전력 전자 시스템에서 새로운 수준의 전력 밀도 및 효율성을 달성할 수 있습니다.실리콘 MOSFET에 비해 이 장치의 고유한 장점은 매우 낮은 입력 및 출력 정전 용량, 스위칭 손실을 최대 80%까지 줄이는 제로 역 복구 및 EMI를 줄이기 위한 낮은 스위치 노드 링잉을 포함합니다.이러한 이점을 통해 토템폴 PFC와 같은 조밀하고 효율적인 토폴로지가 가능합니다.

명세서

특징

• 가속화된 신뢰성 인애플리케이션 하드 스위칭 프로파일을 통해 검증된 GaN 공정

• 고밀도 전력 변환 설계 가능

• 캐스코드 또는 독립형 GaN FET보다 우수한 시스템 성능

• 쉬운 설계 및 레이아웃을 위한 낮은 인덕턴스 8mm × 8mm QFN 패키지

• 스위칭 성능 및 EMI 제어를 위해 조정 가능한 드라이브 강도

• 디지털 고장 상태 출력 신호

• +12V의 조정되지 않은 전원만 필요

• 통합 게이트 드라이버

• 제로 공통 소스 인덕턴스

• 고주파 설계를 위한 20ns 전파 지연

• 임계값 변화를 보상하기 위해 트리밍된 게이트 바이어스 전압은 안정적인 스위칭을 보장합니다.

• 25-V/ns ~ 100-V/ns 가변 슬루율

• 강력한 보호

• 외부 보호 부품이 필요하지 않습니다.

• <100ns 응답으로 과전류 보호

• 150-V/ns 이상의 슬루율 내성

• 과도 과전압 내성

• 과열 보호

• 모든 공급 레일의 저전압 차단(UVLO) 보호

• 장치 옵션:

• LMG3410R150: 래치형 과전류 보호

• LMG3411R150: 사이클별 과전류 보호

핀 구성 및 기능

자주하는 질문
Q. 당신의 제품은 독창적입니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
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