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제품 소개집적 회로 칩

5.8mOhm 집적 회로 칩 NTMFS4C09NT1G 엔 MOSFET 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지

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5.8mOhm 집적 회로 칩 NTMFS4C09NT1G 엔 MOSFET 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지

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큰 이미지 :  5.8mOhm 집적 회로 칩 NTMFS4C09NT1G 엔 MOSFET 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: NTMFS4C09NT1G
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 8-PowerTDFN
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

5.8mOhm 집적 회로 칩 NTMFS4C09NT1G 엔 MOSFET 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지

설명
부품 번호: NTMFS4C09NT1G 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: 9A(타)
드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐): 4.5V, 10V Rds On(최대) @ Id, Vgs: 5.8m옴 @ 30A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 작동 온도: -55°C ~ 150°C(TJ)
강조하다:

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NTMFS4C09NT1G N MOSFET 트랜지스터

직접 회로 칩 NTMFS4C09NT1G MOSFET N-채널 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지

 

특징

  • 낮은 RDS(on)로 전도 손실 최소화
  • 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 정전 용량
  • 스위칭 손실을 최소화하기 위해 최적화된 게이트 전하
  • 이 장치는 무연, 무할로겐/무BFR이며 RoHS 규격을 준수합니다.

 

애플리케이션

  • CPU 전력 공급
  • DC-DC 컨버터

 

기계적 케이스 개요

5.8mOhm 집적 회로 칩 NTMFS4C09NT1G 엔 MOSFET 트랜지스터 8-PowerTDFN 패키지 0

 

자주하는 질문
Q. 당신의 제품은 독창적입니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
A: 우리는 DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 배송을 위해 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 귀하의 제안된 전달자를 사용할 수 있습니다.
Q: 리드타임은 어떨까요?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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