제품 상세 정보:
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부품 번호: | UCC27200QDDARQ1 | 작동 공급 전류: | 4mA |
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작동 공급 전압: | 8V ~ 20V | Pd - 전력 손실: | 2700mW |
상품 유형: | 게이트 드라이버 | 기술: | 시 |
직접 회로 칩 UCC27200QDDARQ1 비반전 하프 브리지 게이트 드라이버 IC
UCC27200QDDARQ1의 제품 설명
UCC27200QDDARQ1은 120V 부트스트랩 다이오드와 하이사이드 및 로우사이드 드라이버를 포함하는 고주파수 N채널 MOSFET 드라이버이며 제어 유연성을 최대화하기 위해 독립적인 입력을 제공합니다. 이를 통해 하프브리지, 풀브리지, 2개 스위치 포워드 및 액티브 클램프 포워드 컨버터.로우사이드 및 하이사이드 게이트 드라이버는 독립적으로 제어되며 서로 켜짐과 꺼짐 사이에 1ns로 정합됩니다.
사양UCC27200QDDARQ1
제품 상태 |
활동적인 |
구동 구성 |
하프 브리지 |
채널 유형 |
독립적인 |
드라이버 수 |
2 |
게이트 유형 |
N채널 MOSFET |
전압 - 공급 |
8V ~ 17V |
논리 전압 - VIL, VIH |
3V, 8V |
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) |
3A, 3A |
입력 유형 |
비반전 |
하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩) |
120V |
상승/하강 시간(통상) |
8ns, 7ns |
작동 온도 |
-40°C ~ 140°C(TJ) |
장착 유형 |
표면 실장 |
패키지/케이스 |
8-PowerSOIC(0.154", 폭 3.90mm) |
공급자 장치 패키지 |
8-SO 파워패드 |
UCC27200QDDARQ1의 특징
의 응용UCC27200QDDARQ1
UCC27200QDDARQ1의 간소화된 애플리케이션 다이어그램
자주하는 질문
Q. 당신의 제품은 독창적입니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
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Q: 리드타임은 어떨까요?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.
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