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제품 소개집적 회로 칩

AIMBG120R040M1 직접 회로 칩 자동 1200V MOSFET 트랜지스터

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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AIMBG120R040M1 직접 회로 칩 자동 1200V MOSFET 트랜지스터

AIMBG120R040M1 직접 회로 칩 자동 1200V MOSFET 트랜지스터
AIMBG120R040M1 Integrated Circuit Chip Automotive 1200V MOSFET Transistors
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큰 이미지 :  AIMBG120R040M1 직접 회로 칩 자동 1200V MOSFET 트랜지스터

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: AIMBG120R040M1
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO263-7
배달 시간: 5-8일
지불 조건: T/T, L/C, 웨스턴 유니온

AIMBG120R040M1 직접 회로 칩 자동 1200V MOSFET 트랜지스터

설명
부품 번호: AIMBG120R040M1 작동 온도: -55°C ~ 175°C
제품 상태: 활동적인 장착 유형: 표면 실장
내경(@25°C) 최대: 48A
강조하다:

AIMBG120R040M1 집적 회로 칩

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MOSFET 집적 회로 칩

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1200V MOSFET 트랜지스터

직접 회로 칩 AIMBG120R040M1 자동 1200V MOSFET 트랜지스터

 

AIMBG120R040M1에 대한 설명

AIMBG120R040M1은 하이브리드 및 전기 자동차의 현재 및 미래 온보드 충전기 및 DC-DC 애플리케이션을 위해 개발된 자동차 제품군용 1200V SiC MOSFET입니다. 신뢰성, 품질 및 성능에 대한 자동차 산업의 높은 요구 사항.

 

AIMBG120R040M1의 특징
매우 낮은 스위칭 손실
상태 특성에 대한 임계값 없음
0V 턴오프 게이트 전압
벤치마크 게이트 임계값 전압, VGS(th)=4.5V
완전히 제어 가능한 dv/dt
정류 견고한 바디 다이오드, 동기식 정류 준비
온도에 독립적인 턴오프 스위칭 손실
최적화된 스위칭 성능을 위한 감지 핀
HV 연면거리 요구 사항에 적합

 

AIMBG120R040M1의 장점
효율성 향상
더 높은 주파수 활성화
증가된 전력 밀도
냉각 노력 감소
시스템 복잡성 및 비용 감소

 

자주하는 질문
Q. 당신의 제품은 독창적입니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
A: 우리는 DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 배송을 위해 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 귀하의 제안된 전달자를 사용할 수 있습니다.
Q: 리드타임은 어떨까요?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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