제품 상세 정보:
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부문 번호: | UCC23313BQDWYRQ1 | 채널 수: | 1 |
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기술: | 정전 결합 | 장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 6-SOIC | 상승 시간: | 28 나노 초 |
UCC23313BQDWYRQ1 게이트 드라이버 용량 결합 3750Vrms 1 채널 6-SOIC 패키지
제품 설명 UCC23313BQDWYRQ1
UCC23313BQDWYRQ1는 4.5-A 소스 및 5.3-A 싱크 피크 출력 전류와 3.75-kVRMS 기본 격리 등급. 33V의 높은 공급 전압 범위는 IGBT와 SiC 전력 FET를 효과적으로 구동하기 위해 양극 전원을 사용할 수 있습니다. UCC23313BQDWYRQ1은 낮은 측면과 높은 측면 전력 FET을 구동 할 수 있습니다.Key features and characteristics bring significant performance and reliability upgrades over standard opto-coupler based gate drivers while maintaining pin-to-pin compatibility in both schematic and layout design성능 하이라이트는 높은 공통 모드 일시 면역 (CMTI), 낮은 전파 지연 및 작은 펄스 너비 왜곡을 포함합니다. 엄격한 프로세스 제어로 인해 작은 부분-부분 편향이 발생합니다.입력 단계는 에뮬레이션 된 다이오드 (e-diode) 이며, 이는 광 결합 장치 게이트 드라이버에서 발견되는 전통적인 LED에 비해 장기 신뢰성과 우수한 노화 특성을 의미합니다..
UCC23313BQDWYRQ1의 사양
전압 - 격리 |
3750Vrms |
일반 모드 일시 면역력 (분) |
150kV/μs |
증식 지연 tpLH / tpHL (최대) |
105n, 105n |
펄스 너비 왜곡 (최대) |
35n |
상승 / 하락 시간 (형) |
28ns, 25ns (최다) |
전류 - 출력 높고 낮은 |
3A, 3.5A |
전류 - 최고출력 |
4.5A, 5.3A |
전압 - 앞으로 (Vf) (형) |
2.1V |
전류 - DC 전향 (if) (max) |
25mA |
전압 - 출력 공급 |
10V ~ 33V |
작동 온도 |
-40°C ~ 125°C |
적용UCC23313BQDWYRQ1
괄호UCC23313BQDWYRQ1
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부문 번호 | 패키지 |
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FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
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Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
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