|
제품 상세 정보:
|
| 부품번호: | SCT020H120G3AG | TC = 25 'Ｃ에 있는 전력 총손실: | 555 Ｗ |
|---|---|---|---|
| (펄스용인) 드레인전류: | 281 A | TC = 100 'Ｃ에 있는 (연속적인) 드레인전류: | 70 A |
| 열 저항, 접합부 대 케이스: | 0.27 'C/W | 게이트-소스 과도 전압, tp < 1 μs, Ｔ ≤ 10 시간 위에 수명: | -11V 내지 25V |
SIC 집적 회로 칩 SCT020H120G3AG 광대역갭 트랜지스터 100A SiC 모스페트스
SCT020H120G3AG에 대한 제품 설명
SCT020H120G3AG SiC MOSFET - 100A 광대역갭 트랜지스터가 주파수, 에너지 효율, 시스템 사이즈와 중량 감소에서 응용 성능을 개선합니다.
SCT020H120G3AG의 상술
| 부품번호 : | SCT020H120G3AG | Typ (의) RDS : | 18.5 MΩ |
|---|---|---|---|
| 정적 드레인-소스 온 저항 (VGS = 18 Ｖ, ID = 50 A) Typ : | 18.5mΩ | 정적 드레인-소스 온 저항 (VGS = 18 Ｖ, ID = 50 A) 맥스 : | 28mΩ |
| 게이트 입력 저항 (F = 1MHz, ID = 0A) Typ : | 1.5Ω | 패키지 : | H2PAK-7 |
SCT020H120G3AG의 전력 총손실
주식의 다른 전자 부품
| 부품번호 | 패키지 |
| IRFB3004 | TO-220 |
| IRFB3607 | TO-220 |
| IRFB4321 | TO-220 |
| IRFH5020 | DFN5*6 |
| IRFH5207 | DFN5*6 |
| IRFH8337 | DFN5x6 |
FAQ
큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
