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제품 소개메모리 IC 칩

메모리 IC 칩 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 마운트

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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메모리 IC 칩 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 마운트

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메모리 IC 칩 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 마운트

큰 이미지 :  메모리 IC 칩 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 마운트

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: MT53E512M32D1ZW-046 AIT :비
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 200-tfbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

메모리 IC 칩 MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 마운트

설명
부문 번호: MT53E512M32D1ZW-046 AIT :비 클럭 주파수: 2.133 기가헤르츠
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: 18 나노 초 엑세스 시간: 3.5 나노 초
전압 - 공급: 1.06V ~ 1.17V 작동 온도: -40' C ~ 95' C (TC)

메모리 IC MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 장착

 

제품 설명MT3국제산업기구 MT4국제산업기구

MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B는 x16 구성의 8 뱅크 DRAM 및 x4 및 x8 구성의 16 뱅크 DRAM로 내부로 구성된 고속 동적 무작위 액세스 메모리입니다.

 

스펙트럼MT3국제산업기구 MT4국제산업기구

부문 번호:

MT3국제산업기구 MT4국제산업기구

메모리 타입:

휘발성

메모리 형식:

DRAM

기술:

SDRAM - 모바일 LPDDR4X

메모리 크기:

16Gbit

기억 조직:

512M × 32


특징MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B

  • DDR3보다 대역폭을 50%까지 증가시킵니다.

  • 낮은 1.2V 전압 배출 (코어 및 I / O) 는 메모리 전력 수요를 감소시킵니다.

 

다른 공급 제품 종류

부문 번호

패키지

C8051F330

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C8051F850

QFN-20

 

FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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