제품 상세 정보:
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부문 번호: | MT53E512M32D1ZW-046 AIT :비 | 클럭 주파수: | 2.133 기가헤르츠 |
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페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | 18 나노 초 | 엑세스 시간: | 3.5 나노 초 |
전압 - 공급: | 1.06V ~ 1.17V | 작동 온도: | -40' C ~ 95' C (TC) |
메모리 IC MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 200-TFBGA 표면 장착
제품 설명MT3국제산업기구 MT4국제산업기구
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B는 x16 구성의 8 뱅크 DRAM 및 x4 및 x8 구성의 16 뱅크 DRAM로 내부로 구성된 고속 동적 무작위 액세스 메모리입니다.
스펙트럼MT3국제산업기구 MT4국제산업기구
부문 번호: |
MT3국제산업기구 MT4국제산업기구 |
메모리 타입: |
휘발성 |
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메모리 형식: |
DRAM |
기술: |
SDRAM - 모바일 LPDDR4X |
메모리 크기: |
16Gbit |
기억 조직: |
512M × 32 |
특징MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
DDR3보다 대역폭을 50%까지 증가시킵니다.
낮은 1.2V 전압 배출 (코어 및 I / O) 는 메모리 전력 수요를 감소시킵니다.
다른 공급 제품 종류
부문 번호 |
패키지 |
C8051F330 |
QFN20 |
C8051F336 |
QFN20 |
C8051F390 |
QFN24 |
C8051F396 |
QFN20 |
C8051F411 |
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C8051F850 |
QFN-20 |
FAQ
Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753