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제품 소개메모리 IC 칩

집적 회로 칩 35 나노 초 S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8진법 입출력 메모리용 IC

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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집적 회로 칩 35 나노 초 S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8진법 입출력 메모리용 IC

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큰 이미지 :  집적 회로 칩 35 나노 초 S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8진법 입출력 메모리용 IC

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S70KS1283GABHI020
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-vbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

집적 회로 칩 35 나노 초 S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 8진법 입출력 메모리용 IC

설명
부문 번호: S70KS1283GABHI020 밀도: 512MB
공급 전압: 1.7V ~ 2V 데이터 처리량: 400 MBP
클럭 주파수: 200MHz 메모리 포맷: 퍼슈도스태틱 메모리

통합 회로 칩 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 옥탈 I/O 메모리 IC

 

S70KS1283GABHI020의 제품 설명

S70KS1283GABHI020는 스크래치패드 또는 버퍼링 목적으로 확장 메모리를 필요로하는 고성능 임베디드 시스템을 위한 고속, 낮은 핀 수, 저전력 자신 갱신 동적 RAM (DRAM) 이다.

 

S70KS1283GABHI020의 사양

부문 번호:

S70KS1283GABHI020

버스 신호:

11

데이터 버스:

8비트

작동 온도:

-40°C ~ 105°C (TA)

선택적인 차차 시계:

12 버스 신호

최대 시계 속도:

200MHz

 

특징S70KS1283GABHI020의

  • DDR - 시계 양쪽 끝에서 데이터를 전송

  • 데이터 처리 속도는 최대 400 MBps (3,200 Mbps)

  • 구성 가능한 폭발 특성

 

다른 공급 제품 종류

부문 번호

패키지

ISO7310CQDRQ1

SOIC-8

INA250A3QPWRQ1

TSSOP16

INA138QPWRQ1

SOP-8

DS90UR916QSQ

QFN60

CDCEL937QPWRQ1

TSSOP-20

AMC1304M25QDWRQ1

SOP16

 

FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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