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제품 소개메모리 IC 칩

S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

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S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM Memory IC 64Mbit 24-VBGA Surface Mount
S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착 S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

큰 이미지 :  S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S27KS0642GABHV020
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-vbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

S27KS0642GABHV020 DRAM 히페람 메모리용 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 부착

설명
부문 번호: S27KS0642GABHV020 공급 전압 - 맥스: 2 V
공급 전압 - 민: 1.7 V 공급전류 - 맥스: 25 마
최소 동작 온도: - 40C 최대 작업 온도: + 105 C

S27KS0642GABHV020 DRAM 하이퍼램 메모리 IC 64Mbit 24-VBGA 표면 마운트

 

S27KS0642GABHV020의 제품 설명

S27KS0642GABHV020의 DRAM 셀은 읽기 또는 쓰기 트랜잭션 중에 갱신할 수 없습니다.호스트 제한 읽기 또는 기록 번스트 전송 길이가 필요하면 내부 논리 갱신 작업을 허용하는 요구 사항이 있습니다.

 

S27KS0642GABHV020의 사양

부문 번호:

S27KS0642GABHV020

밀도:

512MB

공급 전압:

1.7V ~ 2V

데이터 처리량:

400 MBps

시계 주파수:

200MHz

메모리 형식:

PSRAM

 

특징S27KS0642GABHV020

  • 선형 폭발

  • 랩된 랩 길이

  • 하이브리드 옵션 - 한 번 포착 된 폭발 다음 선형 폭발

 

다른 공급 제품 종류

부문 번호

패키지

ADS1014BQDGSRQ1

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FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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