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제품 소개집적 회로 칩

탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3
탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3 탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

큰 이미지 :  탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IMW120R090M1H
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

탄화규소 IMW120R090M1H 엔-채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

설명
부문 번호: IMW120R090M1H 상품 카테고리: MOSFET
패키지 / 케이스: TO-247-3 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 1200 V
벤치마크 게이트 문턱 전압: VGS(th) = 4.5V 펄스용 신체 다이오드 전류: 50A

실리콘 탄화물 IMW120R090M1H N 채널 1200V MOSFET 트랜지스터 TO-247-3

 

제품 설명IMW120R090M1H

IMW120R090M1H는 CoolSiCTM 1200V SiC 트렌치 MOSFET 실리콘 탄화물 MOSFET입니다. 매우 낮은 전환 손실입니다.

 

스펙트럼IMW120R090M1H

부문 번호 IMW120R090M1H
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
21nC @ 18V
Vgs (최대)
+23V, -7V
입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds
707 pF @ 800 V
전력 분산 (최대)
115W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)

 

특징IMW120R090M1H

  • 상태 특성에 대한 기준이 없는 상태
  • 광대 포트 소스 전압 범위
  • 벤치마크 게이트 임계 전압, VGS ((th) = 4.5V
  • 0V 턴 오프 게이트 전압
  • 완전히 제어 가능한 dV/dt
  • 단단한 전환을 위한 견고한 보디 다이오드

 

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IW3662-01 QFN5


FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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