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제품 상세 정보:
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| 부품번호: | IMBG120R090M1H | 큐그 - 게이트전하: | 23 nC |
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| Rds에 - 드레인-소스 저항: | 125 모엠에스 | ID - 연속배수 경향: | 26 A |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압: | 1.2kV | 시리즈: | 트렌치스탑 IGBT 고속도 3 |
집적 회로 칩 IMBG120R090M1H 트렌치스탑 IGBT 트랜지스터 TO-263-8
IMBG120R090M1H에 대한 제품 설명
IMBG120R090M1H는 쿨식티엠 1200V SiC 트렌치 MOSFET, 엔-채널 1200V 26A입니다, 표면 부착, 패키지가 TO-263-8, D2Pak (7개 리드 + 탭) 입니다.
IMBG120R090M1H의 상술
| 부품번호 : | IMBG120R090M1H |
| 구성 : | 단일 |
| 강하 시간 : | 10 나노 초 |
| 앞으로 상호컨덕턴스 - 민 : | 4.7 Ｓ |
| 상품 종류 : | MOSFET |
| 상승 시간 : | 3.1 나노 초 |
IMBG120R090M1H의 특징
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| 부품번호 | 패키지 |
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| XA6SLX75T-3FGG484Q | FCBGA-484 |
| XA6SLX75T-2FGG484I | FCBGA-484 |
FAQ
큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
