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제품 소개집적 회로 칩

이산 반도체 트랜지스터 IMBG120R350M1H TO-263-8 표면 부착

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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이산 반도체 트랜지스터 IMBG120R350M1H TO-263-8 표면 부착

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큰 이미지 :  이산 반도체 트랜지스터 IMBG120R350M1H TO-263-8 표면 부착

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IMBG120R350M1H
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-263-8
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

이산 반도체 트랜지스터 IMBG120R350M1H TO-263-8 표면 부착

설명
부품번호: IMBG120R350M1H 펄스용 신체 다이오드 전류: 169 A
단락 내성 시간: 3 우리 전력 소모: 300W
저장 온도: 55-150 'C 열 저항: 62 K/W

이산 반도체 트랜지스터 IMBG120R350M1H TO-263-8 표면 부착

 

IMBG120R350M1H에 대한 제품 설명

(계속) 최고 수준 RDS 때문의 IMBG120R350M1H와 장치인 넓은 안정 동작 영역 (소아는) 또한 배터리로 움직이는 적용 (BPA)와 배터리 종합 관리시스템 (BMS)에 이상적입니다.

 

IMBG120R350M1H의 상술

부품번호 :

IMBG120R350M1H

Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스) :

800 V에 있는 2290 PF

FET 특징 :

표준

작동 온도 :

-55' C ~ 175' C (TJ)

단락 회로 내성 타임즈 지 :

3 우리

벤치마크 게이트 문턱 전압 :

4.5V

 

IMBG120R350M1H의 잠재적 응용

  • 드라이브

  • 인프라 - 충전기

  • 에너지 생산 - 태양 문자열 인버터와 태양 최적화기

  • 산업적 전원 공급기 - 인더스트리얼 UPS

 

기타 지원품 상품 종류

부품번호

패키지

ADSP-SC584CBCZ-5A

BGA349

ADUC7061BCPZ32

LFCSP32

ADUC841BSZ62-3

QFP-52

S32G399AACK1VUCT

100-TQFP

DP83TC812RRHARQ1

VQFN-36

CYT2B94CACQ0AZEGS

80-LQFP


FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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