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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W 단일 FET MOSFET 트랜지스터 통합 회로 칩 TO-247-4 패키지

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인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W 단일 FET MOSFET 트랜지스터 통합 회로 칩 TO-247-4 패키지

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IMZA65R048M1H 650V 20A 75W Single FET MOSFET Transistor Integrated Circuit Chip TO-247-4 Package
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큰 이미지 :  IMZA65R048M1H 650V 20A 75W 단일 FET MOSFET 트랜지스터 통합 회로 칩 TO-247-4 패키지

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IMZA65R048M1H
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-4
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: T/T,L/C,웨스턴 유니온
접촉

IMZA65R048M1H 650V 20A 75W 단일 FET MOSFET 트랜지스터 통합 회로 칩 TO-247-4 패키지

설명
부품 번호: IMZA65R048M1H 브그스: 5일부터 23일까지 Ｖ
게이트-소스 누설 전류: 100 NA 제로 게이트 전압 드레인전류: 150 uA
게이트 저항: 6.0 Ω 6.0 Ω 오픈 드레인: 1MHz

IMZA65R048M1H 통합 회로 칩 650V 20A 75W 단일 FET MOSFET 트랜지스터 TO-247-4 패키지
제품 개요

IMZA65R048M1H 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 최소 스위칭 손실로 빠른 온/오프 속도를 제공합니다.

사양
부품 번호: IMZA65R048M1H 가상 접합 온도: -55 - 175 °C
드레인-소스 전압: 1200 V 장착 토크: 0.6 Nm
바디 다이오드 순방향 전압: 5.2 V 제로 게이트 전압 드레인 전류: 165 µA
주요 특징
  • 증폭 모드 트랜지스터, 정상적으로 OFF 스위치
  • 소형 리드리스 SMD 패키지의 GaN HEMT
  • GaN 맞춤형 자격
  • 초고속 스위칭
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자주 묻는 질문
Q: 귀사의 제품은 정품입니까?
A: 네, 모든 제품은 정품이며, 신규 정품 수입이 저희의 목표입니다.
Q: 어떤 인증을 보유하고 있습니까?
A: 저희는 ISO 9001:2015 인증 기업이며 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원합니까? 샘플은 무료입니까?
A: 네, 샘플 주문 및 소량 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 주문은 어떻게 배송됩니까? 안전합니까?
A: DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 특송으로 배송합니다. 귀하가 제안한 운송업체를 이용할 수도 있습니다. 제품은 안전을 보장하기 위해 좋은 포장으로 제공되며, 귀하의 주문에 대한 제품 손상에 대해 저희가 책임집니다.
Q: 리드 타임은 어떻습니까?
A: 재고 부품은 5 영업일 이내에 배송할 수 있습니다. 재고가 없는 경우 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인해 드리겠습니다.

태그:

집적 회로 칩 24-pqfn,

TUSB1002ARGER 듀얼 채널 선형,

집적된 칩 QFN24

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

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