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제품 소개집적 회로 칩

트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

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트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

큰 이미지 :  트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IMZA65R048M1H
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-4
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

설명
부품번호: IMZA65R048M1H VGS: 5일부터 23일까지 V
게이트-소스 누설 전류: 100 nA 제로 게이트 전압 드레인전류: 150 uA
게이트 저항: 6.0 Ω 6.0 Ω 오픈 드레인: 1MHz

트랜지스터 IMZA65R048M1H 한 개의 FET MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 패키지

 

IMZA65R048M1H에 대한 제품 설명

IMZA65R048M1H는 전자의 고이동성 트랜지스터 (HEMTs)가 빠른 켜짐과 잠금 속도를 최소 스위칭 로스에서 제공한다는 것 입니다.

 

IMZA65R048M1H의 상술

부품번호 :

IMZA65R048M1H

가상 접합 온도 :

-55- 175 'C

드레인-소스 전압 :

1200 V

설치 토크 :

0.6 별거 안 해

신체 다이오드 순방향전압 :

5.2 V

제로 게이트 전압 드레인전류 :

165 uA


IMZA65R048M1H의 특징

  • 성장 모드 트랜지스터, 노말리 오프 스위치

  • 작은 양식에서 갈륨-질소 고전자이동도 트랜지스터는 무-리드 SMD 패키지를 고려합니다

  • GaN-고안된 자격

  • 초고속 스위칭

 

기타 지원품 상품 종류

부품번호

패키지

SPC5606BK0VLL6

LQFP100

SPC5668GF1AVMG

BGA208

SPC5603BK0VLH4

QFP64

SPC5643AF0MVZ2

BGA

SPC5643AF0MLU2

LQFP176

MSC040SMA120

TO-247

 

FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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