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제품 소개메모리 IC 칩

NOR 메모리용 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 대비 120 나노 초 64 에프비지에이 표면 부착

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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NOR 메모리용 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 대비 120 나노 초 64 에프비지에이 표면 부착

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NOR 메모리용 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 대비 120 나노 초 64 에프비지에이 표면 부착

큰 이미지 :  NOR 메모리용 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 대비 120 나노 초 64 에프비지에이 표면 부착

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S70GL02GT12FHIV10
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 64-lbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

NOR 메모리용 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 대비 120 나노 초 64 에프비지에이 표면 부착

설명
부문 번호: S70GL02GT12FHIV10 초기 접근 시간: 25 나노 초
밀도: 2048 메가비트 메모리 용량: 2Gbit
동작 전압: 3 V 2.7 V 3.6 V 작동 온도: -40 'C 105 'C

NOR 메모리 IC S70GL02GT12FHIV10 2Gbit 평행 120ns 64-FBGA 표면 마운트

 

S70GL02GT12FHIV10의 제품 설명

S70GL02GT12FHIV10 장치는 45nm MIRRORBITTM 프로세스 기술로 제조되었습니다. S70GL02GT12FHIV10 장치는 해당 무작위 액세스 시간인 110 ns와 함께 20 ns의 빠른 페이지 액세스 시간을 제공합니다.

 

S70GL02GT12FHIV10의 사양

부문 번호

S70GL02GT12FHIV10

메모리 크기

2Gbit

기억 조직

256M x 8, 128M x 16

메모리 인터페이스

병렬

접속 시간

120 ns

 

S70GL02GT12FHIV10의 특징

  • 45nm MIRRORBITTM 프로세스 기술

  • 읽기/프로그램/삭제용 단일 공급 장치 (VCC) (2.7V ~ 3.6V)

  • 다재다능한 I/O 기능

  • 넓은 I/O 전압 (VIO): 1.65V ~ VCC

 

다른 전자 부품 재고

부문 번호 패키지
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R7FA6M2AD3CFB 144-LFQFP
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MAX17554CATA 8-TDFN


FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 귀하의 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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