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제품 소개메모리 IC 칩

메모리 칩 S70KS1283GABHV023 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-VBGA IC 칩

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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큰 이미지 :  메모리 칩 S70KS1283GABHV023 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-VBGA IC 칩

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S70KS1283GABHV023
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-에프비지에이 (6x8)
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

메모리 칩 S70KS1283GABHV023 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-VBGA IC 칩

설명
부문 번호: S70KS1283GABHV023 작동 온도(최대): 105 'C
작동 온도(분): -40 'C 최대 리플로우 임시: 260 'C
최대 액세스 시간, (tACC): 35 나노 초 대기중입니다 (CS# = VCC = 3.6 V, 105' C): 750 uA

메모리 칩 S70KS1283GABHV023 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-VBGA IC 칩

 

S70KS1283GABHV023에 대한 제품 설명

S70KS1283GABHV023은 준에스램 메모리 칩, 24-에프비지에이의 128MBit 1.8 V 인더스트리얼 (105' C) 엑스스피 (8진법) HYPERRAM 일반정보 2.0입니다.

 

S70KS1283GABHV023의 상술

 
부품번호 S70KS1283GABHV023
비중 128 메가비트
기술 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
가족 KS-3
초기 접근 시간 35 나노 초
인터페이스 대역폭 400 MByte/s
인터페이스 주파수 (SDR/DDR) 200MHz
인터페이스 (8진법인) 엑스스피


S70KS1283GABHV023의 특징

  • 200-MHz 최대 클럭 주파수
  • DDR는 시계의 양쪽 모서리에 대한 자료를 이동시킵니다
  • 400 MBP (3,200 MBP)에 달하는 데이터 처리량
  • 쉽게 잘 믿는 버스트 특성

 

주식의 다른 전자 부품

부품번호 패키지
S25HL512TDPBHM010 24-bga
S26HS01GTGABHI030 24-에프비지에이
S25HL512TDPBHI010 SMD
S25HL512TFANHI010 WSON8
CY15B102QN-50LHXI 에프비지에이
CY7C1514KV18-250BZXI FBGA165

 

FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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