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제품 소개메모리 IC 칩

S70KL1282GABHB020 IC은 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 표면 부착을 자릅니다

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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S70KL1282GABHB020 IC Chips 128Mbit Pseudo SRAM Memory IC 24-FBGA Surface Mount
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큰 이미지 :  S70KL1282GABHB020 IC은 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 표면 부착을 자릅니다

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S70KL1282GABHB020
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-vbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

S70KL1282GABHB020 IC은 128Mbit 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 표면 부착을 자릅니다

설명
부문 번호: S70KL1282GABHB020 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: 35 나노 초
인터페이스 지지: 1.8 V / 3.0 V 기억기접합: 히페뷔스
데이터 처리량: 최고 400까지 메가보우 (3,200 MBP) 시리즈: 히페람티엠 KL
강조하다:

S70KL1282GABHB020 IC 칩

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표면 부착 준에스램 메모리용 IC

128Mbit IC 칩 S70KL1282GABHB020 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 표면 부착

 

S70KL1282GABHB020에 대한 제품 설명

S70KL1282GABHB020은 HYPERBUSTM 인터페이스인 128Mbit 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램) 메모리용 IC입니다, 패키지인 1.8 V/3.0 V가 24 에프비지에이 (6x8) 입니다.

 

S70KL1282GABHB020의 상술

부품번호 : S70KL1282GABHB020 최대 리플로우 임시 : 260 'C
기억기접합 : SPI - 8진법 입출력 상품 종류 : DRAM
대기중입니다 (CS# = VCC = 2.0 V, 105 'C) : 330 uA 분류하세요 : 6 밀리미터 X 8 밀리미터


S70KL1282GABHB020의 특징

  • 200개 마하즈 최대 클럭 주파수
  • 기술 : 38 nm DRAM
  • 1.8 V VCC / VCCQ에 있는 최대 클럭 주파수 : 200 마하즈
  • 버스트 판독 또는 기입 (200 마하즈, 3.0 V에 있는 선 폭발) : 60 마

 

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부품번호 패키지
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FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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