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제품 소개메모리 IC 칩

S27KS0642GABHI033 200MHz 메모리 칩 셀프 리프레시 드램 24-에프비지에이 64Mbit 히페뷔스

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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S27KS0642GABHI033 200MHz Memory Chips Self Refresh DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus
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큰 이미지 :  S27KS0642GABHI033 200MHz 메모리 칩 셀프 리프레시 드램 24-에프비지에이 64Mbit 히페뷔스

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S27KS0642GABHI033
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-vbga
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

S27KS0642GABHI033 200MHz 메모리 칩 셀프 리프레시 드램 24-에프비지에이 64Mbit 히페뷔스

설명
부문 번호: S27KS0642GABHI033 메모리구성: 8M X 8
인터페이스 대역폭: 400 MByte/s 패키지: 24 볼 에프비지에이
엑세스 시간: 35 나노 초 대기중입니다 (CS# = VCC = 3.6 V, 105' C): 360 uA
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S27KS0642GABHI033에 대한 제품 설명

S27KS0642GABHI033은 HYPERBUSTM 인터페이스, 준에스램 메모리용 IC으로 고속 CMOS, 자기 갱신 DRAM입니다. 디램 어레이는 주기적 새로 고침을 요구하는 다이나믹 셀을 사용합니다.

 

S27KS0642GABHI033의 상술

부품번호 : S27KS0642GABHI033 순환 주기 - 단어 쓰고 안내방송을 하세요 : 35 나노 초
인터페이스 지지 : 1.8 V / 3.0 V 기억기접합 : 히페뷔스
데이터 처리량 : 최고 400까지 메가보우 (3,200 MBP) 시리즈 : 히페람티엠 KL


S27KS0642GABHI033의 특징

  • HYPERBUSTM 인터페이스, 1.8 V/3.0 V
  • 부분 기억 배열 (1/8, 1/4, 1/2와 기타)
  • 64Mb HYPERRAMTM 자기 갱신 드램 (퍼슈도스태틱 메모리)
  • 리드 트랜잭션 동안 RWDS는 두번째 시계로부터 벌충됩니다, 단계가 CK으로부터 이동했습니다

 

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FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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