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제품 소개메모리 IC 칩

S70KS1282GABHV020 집적 회로 칩 128Mbit 퍼슈도스태틱 메모리 메모리 칩 24-에프비지에이

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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S70KS1282GABHV020 Integrated Circuit Chip 128Mbit PSRAM Memory Chips 24-FBGA
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큰 이미지 :  S70KS1282GABHV020 집적 회로 칩 128Mbit 퍼슈도스태틱 메모리 메모리 칩 24-에프비지에이

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S70KS1282GABHV020
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-에프비지에이
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

S70KS1282GABHV020 집적 회로 칩 128Mbit 퍼슈도스태틱 메모리 메모리 칩 24-에프비지에이

설명
부문 번호: S70KS1282GABHV020 공급전류 - 맥스: 60 마
엑세스 시간: 35 나노 초 조직: 16 M X 8
최대 클록 주파수: 200MHz 증가하는 방식: SMD/SMT
강조하다:

S70KS1282GABHV020

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S70KS1282GABHV020에 대한 제품 설명

S70KS1282GABHV020 128Mb HYPERRAMTM은 2 Mb 주사위를 사용하는 스택 다이 칩입니다. 동시에 단지 한 다이는 하이브리드 슬립 모드 또는 디프 파워 다운 모드에 들어간다고 프로그램이 짜여질 수 있습니다.

 

S70KS1282GABHV020의 상술

부품번호 S70KS1282GABHV020
기술
퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
메모리 용량
128Mbit
메모리구성
16M X 8
기억기접합
히페뷔스
클럭 주파수
200 마하즈
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다
35 나노 초
엑세스 시간
35 나노 초
전압 - 공급
1.7V ~ 2V
작동 온도
-40' C ~ 105' C (TA)


S70KS1282GABHV020의 특징

  • 버스트 판독 또는 기입 (200 마하즈, 1.8 V에 있는 선 폭발) : 50 마
  • 대기중입니다 (CS# = VCC = 3.6 V, 105' C) : 750 uA
  • 디프 파워 다운 (CS# = VCC = 3.6 V, 105' C) : 360 uA
  • 쓰기 데이터 마스크로서의 기록 트랜잭션 동안 입력
  • 옵션널 DDR 중심 정렬 리드 스트로브 (DCARS)

 

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부품번호 패키지
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CR1510-06 SOP-7
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FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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