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제품 소개메모리 IC 칩

S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

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S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

큰 이미지 :  S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S27KL0643DPBHB023
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-에프비지에이 (6x8)
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

설명
부문 번호: S27KL0643DPBHB023 시리즈: 히페람티엠 KL
기억 영역형: 휘발성 물질 메모리구성: 8M X 8
작동 온도(분): -40' C (TA) 작동 온도(최대): 105' C (TA)

S27KL0643DPBHB023 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이 64Mbit 집적 회로 칩

 

S27KL0643DPBHB023에 대한 제품 설명

S27KL0643DPBHB023은 엑스스피 (8진법) 인터페이스로 고속 CMOS, 자기 갱신 DRAM입니다, 메모리가 더 정확하게 의사 정적 램 (퍼슈도스태틱 메모리)로 묘사됩니다.

 

S27KL0643DPBHB023의 상술

  
부품번호 S27KL0643DPBHB023
기억기접합 SPI - 8진법 입출력
가족 KL-3
초기 접근 시간 36 나노 초
인터페이스 대역폭 333 MByte/s
메모리 용량 64Mbit
볼 마무리를 이끄세요 이용 불가능
최대 리플로우 임시 260 'C
자격 자동차


S27KL0643DPBHB023의 특징

  • 8진법 엑스스피, 1.8 V/3.0 V
  • 하드웨어는 (RESET#)를 재설정했습니다
  • 양방향성 판독-기록 데이터 스트로브 (RWDS)
  • 64Mb HYPERRAMTM 자기 갱신 드램 (퍼슈도스태틱 메모리)
  • 하이브리드 옵션 - 래핑한 폭발은 선 폭발에 의해 뒤따랐습니다

 

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부품번호 패키지
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FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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