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제품 소개메모리 IC 칩

512Mbit SPI - 8진법 입출력 200MHz S80KS5123GABHI020 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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512Mbit SPI - 8진법 입출력 200MHz S80KS5123GABHI020 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이

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512Mbit SPI - 8진법 입출력 200MHz S80KS5123GABHI020 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이

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제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S80KS5123GABHI020
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-에프비지에이
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

512Mbit SPI - 8진법 입출력 200MHz S80KS5123GABHI020 준에스램 메모리용 IC 24-에프비지에이

설명
부문 번호: S80KS5123GABHI020 메모리 용량: 512 메가비트
최대 클록 주파수: 200MHz 공급 전압 - 맥스: 2 V
공급 전압 - 민: 1.7 V 엑세스 시간: 35 나노 초

512Mbit SPI - 옥탈 I/O 200MHz S80KS5123GABHI020 사이도 SRAM 메모리 IC 24-FBGA

 

제품 설명S80KS5123GABHI020

S80KS5123GABHI020 장치는 평행 및 직렬 인터페이스 메모리 두 가지의 레거시 기능에 기반을 둔 Octal SPI 인터페이스를 제공합니다.

 

S80KS5123GABHI020의 사양

부문 번호

S80KS5123GABHI020

1.7V

44mA

- 40C

+ 85 C


특징S80KS5123GABHI020

  • 단계 이동 시계는 읽기 데이터 눈 내에서 RWDS 전환 가장자리를 이동하는 데 사용됩니다

  • 최대 200MHz 클럭 속도

  • DDR - 시계 양쪽 끝에서 데이터를 전송

 

다른 전자 부품 재고

부문 번호

패키지

ADS1291IRSMR

VQFN32

TEA1721DT

SOP8

BQ51050BRHLT

VQFN-20

EP4SGX230HF35C4N

BGA

TUSB3410RHBR

QFN32

PEX8616-BB50BCF

BGA

 

FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.
 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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