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제품 소개메모리 IC 칩

집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga

집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga
집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga

큰 이미지 :  집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: S27KS0642GABHM023
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 24-에프비지에이
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

집적 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 히페뷔스 메모리용 IC 24-vbga

설명
부문 번호: S27KS0642GABHM023 기술: 퍼슈도스태틱 메모리 (준에스램)
버스트 판독 또는 기입: 30mA 작동 온도: -40°C ~ 125°C(TA)
쓰기 주기 시간: 35 나노 초 제품 상태: 액티브

통합 회로 칩 S27KS0642GABHM023 64Mbit 하이퍼버스 메모리 IC 24-VBGA

 

S27KS0642GABHM023의 제품 설명

S27KS0642GABHM023 메모리는 고속, 낮은 핀 수,저전력 자신 갱신 동적 RAM (DRAM) 은 스크래치 패드 또는 버퍼 용도로 확장 메모리를 필요로 하는 고성능 임베디드 시스템.

 

S27KS0642GABHM023의 사양

부문 번호

S27KS0642GABHM023

메모리 크기

64Mbit

기억 조직

8M x 8

메모리 인터페이스

하이퍼버스

시계 주파수

200MHz

주기 시간 - 단어, 페이지

35n

접속 시간

35 ns

전압 - 공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)


특징S27KS0642GABHM023

  • 하이브리드 옵션 - 한 번 포착 된 폭발 다음 선형 폭발

  • 설정 가능한 출력 드라이브 강도

  • 전원 모드

  • 하이브리드 수면 모드

  • 딥 파워 다운

 

다른 전자 부품 재고

부문 번호

패키지

DS26504LN

TQFP64

CY7C1412AV18-200BZI

BGA165

BCM54618SEA2KFBG

BGA

SI5330G

QFN24

ADN8102ACPZ

LFCSP64

L6910GTR

SOP-16

 

FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있나요?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.
 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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