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제품 소개집적 회로 칩

BSC050N10NS5 100V N채널 MOSFET 트랜지스터, 100A 연속 드레인 전류 및 136W 전력 소산

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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BSC050N10NS5 100V N채널 MOSFET 트랜지스터, 100A 연속 드레인 전류 및 136W 전력 소산

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큰 이미지 :  BSC050N10NS5 100V N채널 MOSFET 트랜지스터, 100A 연속 드레인 전류 및 136W 전력 소산

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: BSC050N10NS5
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: PG-TDSON-8-7
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: T/T,L/C,웨스턴 유니온

BSC050N10NS5 100V N채널 MOSFET 트랜지스터, 100A 연속 드레인 전류 및 136W 전력 소산

설명
부품 번호: BSC050N10NS5 전력 소비: 3W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도: -55' C ~ 175' C (TJ) Id - 연속 드레인 전류: 100 A
강하 시간: 7 나노 초 전형적 정지 지연 시간: 19 나노 초
강조하다:

100V MOSFET 트랜지스터

,

100A 연속 드레인 전류 MOSFET 트랜지스터

,

136W 전력 손실 집적 회로 칩

BSC050N10NS5 통합 회로 칩 100V N채널 단일 MOSFET 트랜지스터
BSC050N10NS5 제품 개요

BSC050N10NS5는 PG-TDSON-8-7 패키지의 N채널 100V 16A(Ta), 100A(Tc) 3W(Ta), 136W(Tc) 표면 실장 트랜지스터입니다.

BSC050N10NS5 기술 사양
매개변수
부품 번호 BSC050N10NS5ATMA1
Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id 3.8V @ 72µA
게이트 전하(Qg) (최대) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Vgs (최대) ±20V
입력 커패시턴스(Ciss) (최대) @ Vds 4300 pF @ 50 V
BSC050N10NS5 주요 특징
  • 고성능 SMPS에 최적화
  • 100% 애벌랜치 테스트 완료
  • 우수한 열 저항
관련 제품
부품 번호 패키지
ISL58302D1RTZ TQFN-24
PIC24HJ128GP510AT-I/PT TQFP-100
PIC32MX320F128HT-80I/MR QFN64
PIC16LF873AT-I/ML QFN28
STI5518DVC QFP208
LAN9117 TQFP100
자주 묻는 질문
Q: 귀사의 제품은 정품입니까?
A: 네, 모든 제품은 정품이며, 신품 정품 수입이 저희의 목표입니다.
Q: 어떤 인증을 보유하고 있습니까?
A: 저희는 ISO 9001:2015 인증 기업이며 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 네, 샘플 주문 및 소량 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트 요구 사항에 따라 다릅니다.
Q: 주문은 어떻게 배송됩니까? 안전합니까?
A: DHL, FedEx, UPS, TNT, EMS를 포함한 특송 업체를 이용합니다. 선호하는 포워더를 이용할 수도 있습니다. 제품은 안전을 보장하기 위해 전문적으로 포장되며, 주문에 대한 모든 손상에 대해 책임집니다.
Q: 리드 타임은 어떻습니까?
A: 재고 부품은 영업일 기준 5일 이내에 배송할 수 있습니다. 재고가 없는 품목의 경우 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인해 드립니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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