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제품 소개집적 회로 칩

IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터

IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터
IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터 IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터

큰 이미지 :  IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: NTH4L020N090SC1
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-4
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 탄화규소 N-채널 트랜지스터

설명
부품번호: NTH4L020N090SC1 기술: 식페트 (탄화규소)
FET은 타이핑합니다: 엔-채널 제품 상태: 활동가
증가하는 타입: 관통 홀 전력 소모: 484W (Tc)

IC 칩 NTH4L020N090SC1 484W MOSFET 실리콘 카바이드 N 채널 트랜지스터

 

제품 설명NTH4L020N090SC1

NTH4L020N090SC1은 1700V EliteSiC MOSFET으로 에너지 인프라 및 산업용 드라이브 애플리케이션을 위한 안정적인 고효율 성능을 제공합니다.

 

사양NTH4L020N090SC1

부품 번호

NTH4L020N090SC1

제품 상태

활동적인

FET 유형

N채널

기술

SiCFET(실리콘 카바이드)

드레인-소스 전압(Vdss)

900V


특징 NTH4L020N090SC1

  • 일반적으로RDS(켜짐) = 20m @ VGS = 15V

  • 일반적으로RDS(켜짐) = 16m @ VGS = 18V

  • 매우 낮은 게이트 전하(QG(tot) = 196nC)

 

기타 공급 제품 유형

부품 번호

패키지

NCP1012AP133G

딥-7

CY8CLED04-68LFXI

QFN

CY2308SXC-2T

SOP16

CY7C1019CV33-15VI

SOJ32

MTD6502B

TDFN10

XQ4062XL-3CB228M

CQFP228

 

자주하는 질문

Q: 당신의 제품은 고유합니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문이나 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
A: 우리는 DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 배송을 위해 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 귀하의 제안된 전달자를 사용할 수 있습니다.
Q: 리드타임은 어떻습니까?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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