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제품 소개집적 회로 칩

1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

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큰 이미지 :  1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IXYH55N120A4
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

설명
부품번호: IXYH55N120A4 IGBT는 타이핑합니다: PT
제품 상태: 활동가 절환 에너지: 2.3mJ (계속), (떨어져서 5.3mJ)
게이트전하: 110 nC 증가하는 타입: 관통 홀

1200V 175A 한 개의 이그브츠 IXYH55N120A4 이산 반도체 트랜지스터

 

IXYH55N120A4에 대한 제품 설명

그들을 완충기가 없는 하드-스위칭 적용에 이상적이게 하면서, IXYH55N120A4는 케케묵은 역방향 바이어스의 안정 오퍼레이팅 궤적과 650V 항복 전압을 가지고 있습니다.

 

IXYH55N120A4의 상술

부품번호

IXYH55N120A4

시험 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역회복 시간 (트르)

35 나노 초

작동 온도

-55' C ~ 175' C (TJ)

증가하는 타입

관통 홀

 

IXYH55N120A4의 특징

  • 높은 과전류 역량

  • 케케묵은 역방향 바이어스의 안정 오퍼레이팅 궤적

  • (앉힌) VCE의 피티씨

  • 낮은 게이트 드라이브 요구사항

 

기타 지원품 상품 종류

부품번호

패키지

NCP1607BDR2G

SOIC-8

TPS78218DRVR

WSON-6

ACMD-6003

QFN

BGU8052

8-wfdfn

TQP9418

QFN

HMC546LP2E

DFN56

 

FAQ

큐 : 당신의 제품 원형이 되세요?
한 : 예, 모든 제품은 원래입니다, 새로운 원형 수입이 우리의 목적입니다.
큐 : 당신이 어느 증명서를 가지고 있습니까?
한 : 우리는 ISO 9001:2015 지급 보증사고 ERAI의 회원입니다.
큐 : 소량 명령 또는 샘플을 지원하시겠습니까?샘플이 자유롭습니까?
한 : 예, 우리는 샘플 순서와 소량주문을 지원합니다.견본 경비는 당신의 수주 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
큐 : 내 주문을 보내는 방법? 그거 안전한가요?
한 : 우리는 DHL, 페덱스, UPS, TNT와 같이, 운반하도록 명시되어서 사용합니다, EMS.We가 또한 당신의 제안된 발송자를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장에 있고 안전을 보장할 것이고 우리가 당신의 주문에 대한 피해를 생성하도록 책임이 있습니다.
큐 : 생산 소요 시간에 대하여 어떻게 생각합니까?
한 : 우리는 5 근무일 이내에 재고 부품을 수송할 수 있습니다.주식 없이 면, 우리는 당신의 발주량을 기반으로 당신을 위해 생산 소요 시간을 확인할 것입니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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