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제품 소개집적 회로 칩

트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩
트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩 트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

큰 이미지 :  트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IXBX50N360HV
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

트랜지스터 IXBX50N360HV 한 개의 IGBT 트랜지스터 TO-247-3 집적 회로 칩

설명
부품번호: IXBX50N360HV 역회복 시간 (트르): 1.7 우리
작동 온도: -55' C ~ 150' C (TJ) 콜렉터-에미터 포화전압: 2.9 V
증가하는 방식: 관통 홀 Pd - 전력 소모: 660 W

  트랜지스터 IXBX50N360HV 단 하나 IGBTs 트랜지스터 TO-247-3 직접 회로 칩

 

제품 설명IXBX50N360HV

IXBX50N360HV는 고전압, 고주파 BiMOSFET™ 모놀리식 바이폴라 MOS 트랜지스터입니다.

 

사양IXBX50N360HV

부품 번호 IXBX50N360HV
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
3600V
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
125A
전류 - 컬렉터 펄스(Icm)
420A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 50A
전력 - 최대
660W
입력 유형
기준
게이트 요금
210nC
Td(온/오프) @ 25°C
46ns/205ns
테스트 조건
960V, 50A, 5옴, 15V


의 응용IXBX50N360HV

  • 무정전 전원 공급 장치(UPS)
  • 스위치 모드 및 공진 모드 전원 공급 장치
  • 커패시터 방전 회로
  • 레이저 발생기

 

주식에 있는 다른 전자 부품

부품 번호 패키지
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MMA6813KWR2 QFN16
ADIS16365BMLZ ML-24-2
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DA14580-01AT2 QFN40
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자주하는 질문

Q: 당신의 제품은 고유합니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문이나 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
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Q: 리드타임은 어떻습니까?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.
 
 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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