제품 상세 정보:
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부품번호: | SCTW40N120G2VAG | 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): | 18V |
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전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 33A (Tc) | 패키지 / 건: | HiP-247-3 |
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 1200 V | Rds에 - 드레인-소스 저항: | 100 모엠에스 |
직접 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 힘 MOSFET N-채널 트랜지스터 TO-247-3
제품 설명SCTW40N120G2VAG
SCTW40N120G2VAG는 HiP247 패키지의 자동차 등급 실리콘 카바이드 전력 MOSFET N-채널 트랜지스터, 1200V, 33A, 75mΩ(일반, TJ = 25°C)입니다.
사양SCTW40N120G2VAG
부품 번호 | SCTW40N120G2VAG |
Rds On(최대) @ Id, Vgs
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105m옴 @ 20A, 18V
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Vgs(일)(최대) @ Id
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5V @ 1mA
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게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
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63nC @ 18V
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Vgs(최대)
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+22V, -10V
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입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
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1230pF @ 800V
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전력 손실(최대)
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290W(시)
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작동 온도
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-55°C ~ 200°C(TJ)
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장착 유형
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구멍을 통해
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공급자 장치 패키지
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HiP247™
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패키지/케이스
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TO-247-3
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의 특징SCTW40N120G2VAG
주식에 있는 다른 전자 부품
부품 번호 | 패키지 |
X9C104PIZ | 딥8 |
STM8S007C8T6 | LQFP48 |
LM317KTTR | TO263 |
MT48LC4M16A2P-75 | TSOP54 |
NCV5500DTADJRKG | TO-252-5 |
XC7A200T-2SBG484C | BGA-484 |
자주하는 질문
Q: 당신의 제품은 고유합니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
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A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
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