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제품 소개집적 회로 칩

집적 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 파워 모스펫 N-채널 트랜지스터 TO-247-3

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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집적 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 파워 모스펫 N-채널 트랜지스터 TO-247-3

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집적 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 파워 모스펫 N-채널 트랜지스터 TO-247-3

큰 이미지 :  집적 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 파워 모스펫 N-채널 트랜지스터 TO-247-3

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: SCTW40N120G2VAG
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

집적 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 파워 모스펫 N-채널 트랜지스터 TO-247-3

설명
부품번호: SCTW40N120G2VAG 구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): 18V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: 33A (Tc) 패키지 / 건: HiP-247-3
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 1200 V Rds에 - 드레인-소스 저항: 100 모엠에스

직접 회로 칩 SCTW40N120G2VAG 힘 MOSFET N-채널 트랜지스터 TO-247-3

 

제품 설명SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG는 HiP247 패키지의 자동차 등급 실리콘 카바이드 전력 MOSFET N-채널 트랜지스터, 1200V, 33A, 75mΩ(일반, TJ = 25°C)입니다.

 

사양SCTW40N120G2VAG

부품 번호 SCTW40N120G2VAG
Rds On(최대) @ Id, Vgs
105m옴 @ 20A, 18V
Vgs(일)(최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63nC @ 18V
Vgs(최대)
+22V, -10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1230pF @ 800V
전력 손실(최대)
290W(시)
작동 온도
-55°C ~ 200°C(TJ)
장착 유형
구멍을 통해
공급자 장치 패키지
HiP247™
패키지/케이스
TO-247-3

 

의 특징SCTW40N120G2VAG

  • 매우 빠르고 견고한 진성 바디 다이오드
  • 매우 낮은 게이트 전하 및 입력 커패시턴스
  • 매우 높은 작동 접합 온도 성능(TJ = 200°C)

 

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자주하는 질문

Q: 당신의 제품은 고유합니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문이나 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
A: 우리는 DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 배송을 위해 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 귀하의 제안된 전달자를 사용할 수 있습니다.
Q: 리드타임은 어떻습니까?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.
 
 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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