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제품 소개집적 회로 칩

집적 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 엔-채널 MOSFET 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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집적 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 엔-채널 MOSFET 트랜지스터

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큰 이미지 :  집적 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 엔-채널 MOSFET 트랜지스터

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: SCT2280KEHRC11
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 작업 일수
지불 조건: 전신환, L/C (신용장), 웨스턴 유니온

집적 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 엔-채널 MOSFET 트랜지스터

설명
부품번호: SCT2280KEHRC11 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 1200 V
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다): 18V Id에 있는 Vgs(th) (맥스): 1.4mA에 있는 4V
브그스 (맥스): +22V, -6V 전력 소모 (맥스): 108W (Tc)

직접 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 N 채널 MOSFET 트랜지스터

 

제품 설명SCT2280KEHRC11

SCT2280KEHRC11은 낮은 온 저항, 자동차 등급 N채널 SiC 전력 MOSFET 트랜지스터, 1200V, 280mΩ, 패키지는 TO-247-3입니다.

 

사양SCT2280KEHRC11

부품 번호 SCT2280KEHRC11
FET 유형
N채널
기술
SiCFET(실리콘 카바이드)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A(시)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
364m옴 @ 4A, 18V
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
36nC @ 400V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
667pF @ 800V
작동 온도
175°C(TJ)
공급자 장치 패키지
TO-247N

 

게이트 임계 전압 VS.접합 온도SCT2280KEHRC11

집적 회로 칩 SCT2280KEHRC11 TO-247-3 엔-채널 MOSFET 트랜지스터 0

 

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자주하는 질문

Q: 당신의 제품은 고유합니까?
A: 예, 모든 제품은 원본이며 새로운 원본 가져오기가 우리의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서가 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이자 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문이나 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 그렇습니다, 우리는 표본 순서 및 소액 주문을 지원합니다. 표본 비용은 당신의 순서 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 내 주문을 배송하는 방법?안전 해요?
A: 우리는 DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 배송을 위해 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 귀하의 제안된 전달자를 사용할 수 있습니다.
Q: 리드타임은 어떻습니까?
A: 우리는 5 작업 일 이내에 재고 부품을 배송할 수 있습니다. 재고가 없으면 주문 수량에 따라 리드 타임을 확인합니다.
 
 

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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