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제품 소개메모리 IC 칩

메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩

메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩
메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩 메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩

큰 이미지 :  메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩

제품 상세 정보:
원래 장소: KN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: MT53E256M16D1FW-046 WT:B
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: VFBGA-200
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, L/C, 웨스턴 유니온

메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩

설명
부문 번호: MT53E256M16D1FW-046 WT:B 메모리 용량: 4 그비트
전압 - 공급: 1.1V 데이터 버스 폭: 16비트
조직: 256M x 16 증가하는 방식: SMD/SMT

메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩


제품 설명 MT53E256M16D1FW-046 WT:B

MT53E256M16D1FW-046 WT:B는 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 IC입니다. 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리입니다.


MT53E256M16D1FW-046 WT의 사양:B

메모리 타입
휘발성
메모리 형식
DRAM
기술
SDRAM - 모바일 LPDDR4X
메모리 크기
4Gbit
기억 조직
256M x 16
메모리 인터페이스
병렬
시계 주파수
2.133 GHz
주기 시간 - 단어, 페이지
18n
접속 시간
3.5 ns
전압 - 공급
10.06V ~ 1.17V
작동 온도
-30°C ~ 85°C (TC)
장착형
표면 마운트
패키지 / 케이스
200-TFBGA
공급자의 장치 패키지
200-TFBGA (10x14.5)

 

패키지 크기 (200-볼 TFBGA 10mm x 14.5mm x 1.1mm)

메모리 IC 칩 MT53E256M16D1FW-046 WT:B 4Gbit 병렬 DRAM LPDDR4 메모리 칩 0


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FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

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