MT61K512M32KPA-14C:B 메모리 IC 칩 GDDR6 SGRAM 메모리 16Gbit 동적 무작위 액세스 메모리

MT61K512M32KPA-14C:B 메모리 IC 칩 GDDR6 SGRAM 메모리 16Gbit 동적 무작위 액세스 메모리

MT61K512M32KPA-14C의 제품 설명:B

MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM는 고속 동적 무작위 액세스 메모리로서 대역폭을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 내부는 16‐뱅크 메모리로 구성되어 있으며 17,179,869184비트

MT61K512M32KPA-14C:B GDDR6 SGRAM의 초고속 인터페이스는 호스트 컨트롤러와의 포인트-포인트 연결에 최적화되어 있습니다.모든 고속 인터페이스 신호에 대한 디어 종료 (ODT) 는 시스템에서 종료 저항의 필요성을 제거하기 위해 제공됩니다..

MT61K512M32KPA-14C의 사양:B

MT61K512M32KPA-14C의 특징:B

• VDD = VDDQ = 1.35V ± 3% 및 1.25V ± 3%
• VPP = 1.8V 3%/+6%
• 데이터 속도: 14 Gb/s, 16 Gb/s
• 2개의 독립된 채널 (x16)
• x16/x8 및 2채널 / 위조 채널 (PC) 모드 구성 설정 재설정
• 명령/주소 (CA) 및 데이터에 대한 채널별 단일 끝 인터페이스
• 2채널당 CA를 위한 차차 시계 입력 CK_t/CK_c
• 데이터 (DQ, DBI_n, EDC) 를 위한 채널당 두 개의 차차 시계 입력 WCK_t/WCK_c
• 프로그래밍 가능한 READ 지연 시간
• 프로그래밍 할 수 있는 WRITE 지연 시간
• 순환적 부재 검사로 보안된 데이터 전송 읽기/쓰기 완전성
• 프로그래밍 가능한 CRC READ 지연
• 프로그래밍 가능한 CRC WRITE 지연
• CDR에 대한 프로그래밍 가능한 EDC 대기 패턴
• EDC 핀에 RDQS 모드
• 저전력 모드
• 칩 내 온도 센서
• 자동 전 충전 옵션
• 자동 갱신 모드 (32ms, 16k 사이클)
• 180 볼 BGA 패키지
• 납 없는 포장 (RoHS 준수) 및 하로겐 없는 포장
• TC = 0°C ~ +95°C

다른 전자 부품 재고

FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.