AT45DB081E-SHN-T 메모리 IC 칩 비휘발성 메모리 8Mbit SPI 시리즈 또는 플래시 메모리

AT45DB081E-SHN-T 메모리 IC 칩 비휘발성 메모리 8Mbit SPI 시리즈 또는 플래시 메모리

AT45DB081E-SHN-T의 제품 설명

AT45DB081E-SHN-T DataFlash는 8Mbit SPI Serial NOR 플래시 메모리로 데이터 로깅을 위한 가장 효율적인 메모리로 만드는 고급 듀얼 SRAM 버퍼 아키텍처가 있다.
AT45DB081E-SHN-T는 또한 시스템 전력을 절약하고 프로세서 오버헤드를 줄이고 소프트웨어 개발을 단순화하는그리고 데이터 보안과 무결성을 위한 포괄적인 옵션을 제공합니다..

AT45DB081E-SHN-T의 사양

AT45DB081E-SHN-T의 특징

단일 1.7V - 3.6V 공급
연쇄 주변 인터페이스 (SPI) 호환
- SPI 모드 0과 3를 지원합니다.
- RapidSTM 동작을 지원합니다
전체 배열을 통해 연속 읽기 기능
- 85MHz까지
- 저전력 읽기 옵션 최대 15MHz
- 시계~출력 시간 (tv) 최대 6 ns
사용자 설정 가능한 페이지 크기
- 페이지당 256 바이트
- 페이지당 264 바이트 (예정)
- 페이지 크기는 256 바이트를 위해 공장 미리 구성 될 수 있습니다
두 개의 완전히 독립적인 SRAM 데이터 버퍼 (256/264 바이트)
- 메인 메모리 배열을 재프로그램하는 동안 데이터를 수신 할 수 있습니다
유연한 프로그래밍 옵션
- 바이트/페이지 프로그램 (1에서 256/264 바이트) 직접 메인 메모리에
- 버퍼 쓰기
- 메인 메모리 페이지 프로그램 버퍼
유연한 삭제 옵션
- 페이지 삭제 (256/264 바이트)
- 블록 삭제 (2 kB)
- 섹터 삭제 (64 kB)
- 칩 지워 (8 Mbits)
프로그램 및 삭제 중지 / 재개
낮은 전력 소모
- 400nA 초심 전력 다운 전류 (기반)
- 4.5 μA 깊은 전력 다운 전류 (유례)
- 25 μA 대기 전류 (기반)
- 11mA 액티브 리딩 전류 (보통 20MHz)
내구성: 페이지당 최소 100000개의 프로그램/삭제 사이클

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FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.