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제품 소개집적 회로 칩

IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터
IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

큰 이미지 :  IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

제품 상세 정보:
원래 장소: KN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: ixfh60n65x2-4
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-4
배달 시간: 3-5 일
지불 조건: T/T
공급 능력: 일 당 10000개 부분

IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

설명
부문 번호: ixfh60n65x2-4 트랜지스터 극성:: 엔-채널
채널 수 :: 1개 채널 Vds - 드레인 소스 항복 전압:: 650 V
Id - 연속 드레인 전류:: 60 A Rds On - 드레인 소스 저항:: 52 모엠에스

IXFH60N65X2-4 통합 회로 칩 N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터

 

IXFH60N65X2-4의 제품 설명
IXFH60N65X2-4는 650V 60A N 채널 강화 전력 MOSFET 트랜지스터입니다.

 

IXFH60N65X2-4의 사양

N 채널

1 채널

650V

60A

52mOhms

- 30V, + 30V

3.5V

108 nC

- 55C

+ 150C

780W

강화

구성:

싱글

가을 시간:

12 ns

전방 전도전도 - 미니:

23 S

제품 종류:

MOSFET

상승 시간:

23 ns

정전 지연 시간:

63 ns

일반적인 켜기 지연 시간:

30 ns

단위 무게:

6g

 

IXFH60N65X2-4의 특징
국제 표준 패키지
낮은 RDS ((ON) 및 QG
계곡 등급
낮은 패키지 인덕턴스

 

IXFH60N65X2-4의 장점
높은 전력 밀도
설치 가 쉽다
공간 절약

 

IXFH60N65X2-4의 적용
스위치 모드와 레조넌트 모드
전원 공급 장치
DC-DC 변환기
PFC 회로
AC 및 DC 모터 드라이브
로봇 및 서보 제어

 

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부문 번호

패키지

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FAQ

Q: 당신 의 제품 들 은 원래 제품 인가?

A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.

질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?

A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.

Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?

A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.

질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?

A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.

질문: 납품시간은 어떻게 되나요?

A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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