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제품 소개메모리 IC 칩

TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63

TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63
TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63

큰 이미지 :  TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63

제품 상세 정보:
원래 장소: KN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: TC58NYG2S0HBAI4
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TFBGA-63
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, L/C, 웨스턴 유니온

TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63

설명
부문 번호: TC58NYG2S0HBAI4 기술: 플래시 - NAND (SLC)
메모리 용량: 4Gbit 메모리구성: 512M X 8
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: 25 나노 초 전압 - 공급: 1.7V ~ 1.95V

TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63​

 

TC58NYG2S0HBAI4 제품 개요

TC58NYG2S0HBAI4는 (4096 + 256) 바이트  64 페이지  2048 블록으로 구성된 단일 1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 비트) NAND 전기적 소거 및 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(NAND E2PROM)입니다.

TC58NYG2S0HBAI4는 4352바이트 단위로 레지스터와 메모리 셀 어레이 간에 프로그램 및 읽기 데이터를 전송할 수 있는 두 개의 4352바이트 정적 레지스터를 가지고 있습니다. 지우기 작업은 단일 블록 단위(256 Kbytes + 16 Kbytes: 4352 바이트 x 64 페이지)로 구현됩니다.


TC58NYG2S0HBAI4 사양

부품 번호: TC58NYG2S0HBAI4
제품 카테고리: NAND 플래시
SMD/SMT
TFBGA-63
4 Gbit
병렬
512 M x 8
동기식
8 비트
1.7 V
1.95 V
30 mA
- 40 ℃
+ 85 ℃
활성 읽기 전류 - 최대: 30 mA


TC58NYG2S0HBAI4 기능

구성 x8
메모리 셀 어레이: 4352 x 128K x 8
레지스터: 4352 x 8
페이지 크기: 4352바이트
블록 크기: (256K x 16K) 바이트
전원 공급 장치 - VCC: 1.7V ~ 1.95V
각 512바이트에 대해 8비트 ECC가 필요합니다.


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FAQ
Q. 귀사 제품은 정품입니까?
A: 예, 모든 제품은 정품이며, 새로운 정품 수입이 저희의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서를 가지고 있습니까?
A: 저희는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예, 샘플 주문 및 소량 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 주문은 어떻게 배송됩니까? 안전합니까?
A: DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS와 같은 특급 배송을 사용합니다. 고객이 제안한 포워더를 사용할 수도 있습니다. 제품은 안전하게 포장되며 안전을 보장하며 주문에 대한 제품 손상에 대해 책임을 집니다.
Q: 리드 타임은 어떻게 됩니까?
A: 재고 부품은 5 영업일 이내에 배송할 수 있습니다. 재고가 없는 경우 주문 수량을 기준으로 리드 타임을 확인해 드리겠습니다.

연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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