제품 상세 정보:
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부문 번호: | TC58NYG2S0HBAI4 | 기술: | 플래시 - NAND (SLC) |
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메모리 용량: | 4Gbit | 메모리구성: | 512M X 8 |
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다: | 25 나노 초 | 전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.95V |
TC58NYG2S0HBAI4 메모리 IC 칩 4Gbit NAND 플래시 메모리 IC TFBGA63
TC58NYG2S0HBAI4 제품 개요
TC58NYG2S0HBAI4는 (4096 + 256) 바이트 64 페이지 2048 블록으로 구성된 단일 1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 비트) NAND 전기적 소거 및 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(NAND E2PROM)입니다.
TC58NYG2S0HBAI4는 4352바이트 단위로 레지스터와 메모리 셀 어레이 간에 프로그램 및 읽기 데이터를 전송할 수 있는 두 개의 4352바이트 정적 레지스터를 가지고 있습니다. 지우기 작업은 단일 블록 단위(256 Kbytes + 16 Kbytes: 4352 바이트 x 64 페이지)로 구현됩니다.
TC58NYG2S0HBAI4 사양
부품 번호: | TC58NYG2S0HBAI4 |
제품 카테고리: | NAND 플래시 |
SMD/SMT | |
TFBGA-63 | |
4 Gbit | |
병렬 | |
512 M x 8 | |
동기식 | |
8 비트 | |
1.7 V | |
1.95 V | |
30 mA | |
- 40 ℃ | |
+ 85 ℃ | |
활성 읽기 전류 - 최대: | 30 mA |
TC58NYG2S0HBAI4 기능
구성 x8
메모리 셀 어레이: 4352 x 128K x 8
레지스터: 4352 x 8
페이지 크기: 4352바이트
블록 크기: (256K x 16K) 바이트
전원 공급 장치 - VCC: 1.7V ~ 1.95V
각 512바이트에 대해 8비트 ECC가 필요합니다.
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부품 번호 | 패키지 |
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BGM240SA22VNA2 | 48-LFQFN 모듈 |
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BGM240PB22VNA3R | 모듈 |
MGM240PA22VNA3R | 모듈 |
MGM240PA32VNA3R | 모듈 |
BGM240PA22VNA3R | 모듈 |
FAQ
Q. 귀사 제품은 정품입니까?
A: 예, 모든 제품은 정품이며, 새로운 정품 수입이 저희의 목적입니다.
Q: 어떤 인증서를 가지고 있습니까?
A: 저희는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI 회원입니다.
Q: 소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A: 예, 샘플 주문 및 소량 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
Q: 주문은 어떻게 배송됩니까? 안전합니까?
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