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제품 소개집적 회로 칩

IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA

IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA
IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA

큰 이미지 :  IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA

제품 상세 정보:
원래 장소: KN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IPM018N10NM5LF2
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 표준 패키지
배달 시간: 3-5 일
지불 조건: T/T
공급 능력: 일 당 10000개 부분

IPM018N10NM5LF2 융합 회로 칩 OptiMOS 5 선형 FET 100V N 채널 트랜지스터와 낮은 RDS (동) 및 넓은 SOA

설명
강조하다:

IPM018N10NM5LF2 집적 회로 칩

,

IPM018N10NM5LF2

IPM018N10NM5LF2 집적 회로 칩 OptiMOS 5 단일 N채널 선형 FET 2 트랜지스터
IPM018N10 제품 개요

IPM018N10은 8x8 mTOLG 패키지의 동급 최고 OptiMOS™ 5 선형 전계 효과 트랜지스터(FET)로, 2 × 100 V 정격이며 25°C에서 업계 최저 RDS(on)와 넓은 SOA를 제공합니다. 이 제품은 JEDEC 인증 패키지로, LFPAK88 유형의 다른 8x8 mm² 걸윙 패키지 MOSFET와 호환됩니다. OptiMOS™ 5 선형 FET 2 기술과 mTOLG 패키지의 조합은 핫스왑, 전자 퓨즈 및 배터리 관리 시스템(BMS)의 배터리 보호와 같은 서지 전류 보호 애플리케이션에 대해 최고의 전력 밀도를 제공하도록 설계되었습니다.

IPM018N10 주요 특징
  • 핫스왑 및 전자 퓨즈 애플리케이션에 이상적
  • 매우 낮은 온 저항 RDS(on)
  • 넓은 안전 작동 영역 SOA
  • 낮은 Vgs(th) 편차
  • 개선된 전류 공유
  • N채널, 일반 레벨
  • 100% 애벌랜치 테스트 완료
  • Pb-무연 도금; RoHS 준수
  • IEC61249-2-21에 따른 할로겐 프리
IPM018N10 애플리케이션
  • 서버 전원 공급 장치 솔루션
  • 통신 인프라
  • 배터리 관리 시스템(BMS)
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제품 태그
IPM018N10NM5LF2, IPM018N10NM5LF, IPM018N10NM5L, IPM018N10NM5, IPM018N10NM, IPM018N10N, IPM018N10
자주 묻는 질문
귀사의 제품은 정품입니까?
네, 모든 제품은 정품이며, 신규 정품 수입이 저희의 목표입니다.
어떤 인증을 보유하고 있습니까?
저희는 ISO 9001:2015 인증 기업이며 ERAI 회원입니다.
소량 주문 또는 샘플을 지원할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

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