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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | IRF8736TRPBF | FET 유형: | n 채널 |
|---|---|---|---|
| 기술: | MOSFET (금속 산화물) | 소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: | 30V |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: | 18A (Ta) | 구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS): | 4.5V, 10V |
| 강조하다: | 30V N 채널 HEXFET MOSFET,전력 MOSFET 트랜지스터 칩,단일 N 채널 집적 회로 |
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| 속성 | 가치 |
|---|---|
| 부문 번호 | IRF8736TRPBF |
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
IRF8736TRPBF30V 단일 N 채널 HEXFET 전력 MOSFET 트랜지스터 SO-8 패키지.
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| FET 타입 | N 채널 |
| 기술 | MOSFET (금속산화물) |
| 소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| 구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON) | 4.5V, 10V |
| Rds ON (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (최대) @ Id | 2.35V @ 50μA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 26 nC @ 4.5 V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds | 2315 pF @ 15V |
| 전력 분산 (최대) | 2.5W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 부문 번호 | 패키지 |
|---|---|
| OL2311AHN/C0B | 32-HVQFN |
| MKW21D512VHA5R | 63-VFLGA |
| K32W041AY | 40-HVQFN |
| SLRC61003HNY | HVQFN-32 |
| 88W8987-A2-NYE2I005 | HVQFN68 |
| 88MW320-A0-NAP2I000 | HVQFN68 |
| K32W041AK | 40-HVQFN |
| PN7362AUEV | 64-VFBGA |
| TEF7092AHN | QFN |
| TEF7094AHN | HVQFN32 |
| TEF6686AHN | HVQFN32 |
| TEF6689AHN | HVQFN32 |
| TEF6688AHN | HVQFN32 |
| TEF6689HN | HVQFN32 |
| A2I20D020NR1 | TO-270-17 |
| TEF6657AHN | HVQFN32 |
| TEF6692AHN | HVQFN32 |
| TEF6687HN | HVQFN32 |
| MMRF2010GNR1 | TO-270-14 |
| TEF6635HW | 100TQFP |
| TEF6694AHN | HVQFN32 |
| TEF6687AHN | HVQFN32 |
| AFLP5G25641T6 | 17-LFLGA |
| 88W8801-B0-NMD2I000 | HVQFN48 |
| CLRC66103HNY | 32-VFQFN |
| PCF7952LTT | 24-TSSOP |
| MF1SEP1031DA8 | MOA-8 |
| NT2H1511DUDV | SMD |
| CLRC66103HNE | 32-VFQFN |
| 88Q9098RA1-NYI2A0R1 | HVQFN148 |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
