P3A8GL4BLF-GJN 메모리 IC 칩 DDR4 8Gb SDRAM 메모리 BGA 패키지

P3A8GL4BLF-GJN 메모리 IC 칩 DDR4 8GB SDRAM 메모리 BGA 패키지

P3A8GL4BLF-GJN의 제품 설명
P3A8GL4BLF-GJN는 DDR4 8Gb SDRAM 메모리가 BGA 패키지입니다.

DDR4 메모리 칩은 더 높은 주파수, 낮은 전압 및 더 큰 용량을 제공하여 향상된 성능과 증가 된 데이터 전송 속도를 제공합니다.

P3A8GL4BLF-GJN의 특징
데이터 무결성
- 자동 자동 갱신 (ASR)
- 자동 갱신 및 자기 갱신 모드
DRAM 액세스 대역폭
- 은행 그룹별로 분리된 I0 게이트 구조
- 자기신생 중단
- 미세한 곡성 갱신
신호 동기화
- MR 설정1을 통해 레벨링을 작성
- MPR을 통해 레벨링을 읽으십시오
신뢰성 및 오류 처리
- 명령/주소 대등성
- 데이터베이스 작성 CRC
- MPR 판독
- 경계 스캔 (X16)
- 포스트 패키지 수리
신호 무결성
- VREFDQ 간 교육
- 전문 교육 읽어
- 가이드 다운 모드
- DRAM 주소에 대한 주소성
- 시스템 호환성을 위해 구성 가능한 DS
- 설정 가능한 시공 종료
- 데이터 버스 인버션 (DBI)
- 외부 ZQ 패드 (240Ω ± 1%) 를 통해 DS/ODT 임피던스 정확성을 위한 ZQ 캘리브레이션
에너지 절약 및 효율성
- VDDQ 종료와 함께 POD
- 명령/주소 지연 (CAL)
- 최대 전력 절약
- 저전력 자동 갱신 (LPASR)

P3A8GL4BLF-GJN의 프로그래밍 가능한 기능
출력 드라이버 임페던스 (34/48)
CAS 기록 지연 (9/10/11/12/14/16/18/20)
추가 지연 (0/CL-1/CL-2)
CS에서 명령 주소 지연 (3/4/5/6/8)
명령어 주소 패리티 지연 (4/5/6)
기록 복구 시간 (10/12/14/16/18/20/24)
분출 유형 (순차적/간간)
RTT_PARK (34/40/48/60/80/120/240)
RTT_NOM (34/40/48/60/80/120/240)
RTT_WR (80/120/240)
입장을 읽으세요 (1T/2T)
서론 (1T/2T)
폭발 길 (BL8/BC4/BC4 또는 8 on the fly)
LPASR (수동: 정상/감소/확장, 자동:TS)

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FAQ
Q. 당신 의 제품 들 은 원래 의 제품 들 인가?
A: 예, 모든 제품은 원본, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
질문: 어떤 자격증을 가지고 있습니까?
A: 우리는 ISO 9001:2015 인증 회사이며 ERAI의 회원입니다.
Q: 당신은 작은 양 주문 또는 샘플을 지원 할 수 있습니까? 샘플은 무료입니까?
A:예,우리는 샘플 주문과 작은 주문을 지원합니다. 샘플 비용은 주문 또는 프로젝트에 따라 다릅니다.
질문: 주문을 어떻게 보내나요? 안전합니까?
A: 우리는 DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS와 같은 선박에 익스프레스를 사용합니다. 우리는 또한 제안 된 운송사를 사용할 수 있습니다.제품은 좋은 포장과 안전을 보장하고 우리는 제품에 손상을 위해 책임이 있습니다.
질문: 납품시간은 어떻게 되나요?
A: 우리는 5 일 이내에 주식 부품을 배송 할 수 있습니다. 주식이 없으면 주문량에 따라 납품 시간을 확인합니다.