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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

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인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance
IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

큰 이미지 :  IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

제품 상세 정보:
원래 장소: CN
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IRF6894MTRPBF
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: 다이렉트FET MX
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: T/T, L/C, Western Union
접촉

IRF6894MTRPBF 25V HEXFET Power MOSFET Integrated Circuit Chip with 170A Continuous Drain Current and 1.7mOhms Drain-Source Resistance

설명
부품 번호: IRF6894MTRPBF Vds - 드레인-소스 항복 전압: 25 Ｖ
Id - 연속배수 경향: 170 A Rds에 - 드레인-소스 저항: 1.7mΩ
큐그 - 게이트전하: 29nC PD- 전력 소산: 54 w
강조하다:

25V HEXFET Power MOSFET

,

170A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

1.7mOhms Drain-Source Resistance Power MOSFET

IRF6894MTRPBF Integrated Circuit Chip 25V HEXFET Power MOSFET Plus Schottky Diode
Product Description
IRF6894MTRPBF is a 25V, Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 33 amperes with optimized low on-resistance. This product combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with advanced DirectFET™ packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.7 mm profile.
Specifications
Series HEXFET®
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4160 pF @ 13 V
FET Feature Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Features
  • RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide
  • Integrated Monolithic Schottky Diode
  • Low Profile (<0.7 mm)
  • Dual Sided Cooling Compatible
  • Low Package Inductance
  • Optimized for High Frequency Switching
  • Ideal for CPU Core DC-DC Converters
  • Optimized for Sync. FET socket of Sync. Buck Converter
  • Low Conduction and Switching Losses
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques
  • 100% Rg tested
  • Footprint compatible to DirectFET
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태그:

집적 회로 칩 24-pqfn,

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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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