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제품 소개집적 회로 칩

IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

인증
중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature
IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

큰 이미지 :  IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: IRF100P219
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: TO-247-3
배달 시간: 5-8 근무일
지불 조건: T/T,L/C,웨스턴 유니온

IRF100P219 100V StrongIRFET™ Power MOSFET Transistor with 203A Drain Current and 175°C Operating Temperature

설명
부품 번호: IRF100P219 시리즈: StrongIRFET™
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요: 100 v 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C: 203A(Tc)
전력 소실 (최대): 3.8W(Ta), 341W(Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C
강조하다:

100V Drain to Source Voltage Power MOSFET Transistor

,

203A Continuous Drain Current Integrated Circuit Chip

,

175°C Operating Temperature StrongIRFET™ MOSFET

IRF100P219 Integrated Circuit Chip 100V StrongIRFET™ Single N-Channel Power MOSFET Transistors
The IRF100P219 is a 100V StrongIRFET™ Single N-Channel Power MOSFET Transistor in a TO-247 package, designed for high-performance power applications.
Product Specifications
Parameter Value
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 203A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12020 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO247-3
Package / Case TO-247-3
Key Features
  • Very low on-resistance Rds(on)
  • Excellent gate charge x Rds(on) (FOM)
  • Optimized Qrr
  • 175°C operating temperature
  • Product validation according to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
Performance Benefits
  • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Enhanced body diode dv/dt and di/dt Capability
  • Lead-Free; RoHS Compliant; Halogen-Free
Applications
  • Battery energy storage (BESS)
  • DIN rail power supply solutions
  • Telecommunications infrastructure
  • 1-phase string inverter solutions
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
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Part Number Package
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