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NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지

NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지
NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지

큰 이미지 :  NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Original Factory
인증: Lead free / RoHS Compliant
모델 번호: NT5CB128M16JR-FL
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 10
가격: Contact for Sample
포장 세부 사항: BGA96
배달 시간: 5-8 근무일
지불 조건: T/T,L/C,웨스턴 유니온
접촉

NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지

설명
부품 번호: NT5CB128M16JR-FL 패키지: BGA96
작동 온도: -40C 내지 105C 유형: 메모리 IC 칩
강조하다:

고속 DDR3 SDRAM

,

자동차 메모리 IC 칩

,

2Gb SDRAM 메모리 IC

NT5CB128M16JR-FL 메모리 IC 칩
고속 자동차 DDR3 2GB SDRAM 메모리 IC
제품 개요
NT5CB128M16JR-FL DDR3 SDRAM은 내부적으로 8뱅크 DRAM로 구성된 고속 동적 무작위 액세스 메모리이다.이 자동차 수준의 메모리 칩은 고속 동작을 달성하기 위해 8n 프리페치 아키텍처를 사용합니다., I/O 핀에서 시계 주기에 두 개의 데이터 단어를 전송하도록 설계된 인터페이스와 결합됩니다.
기술적 특징
  • 완전 DDR3 호환
  • 8n 프리페치 아키텍처
  • 차분 시계 (CK/CK#) 및 데이터 스트로브 (DQS/DQS#)
  • DQ, DQS 및 DM에 대한 이중 데이터 비율
  • 자동 자동 갱신 (ASR) 으로 DRAM 내장 TS
  • 자동 갱신 및 자기 갱신 모드
  • 에너지 효율을 위한 전원 종료 모드
  • AEC-Q100 및 PPAP 제출을 준수합니다
  • 시스템 호환성을 위해 구성 가능한 드라이브 강도
  • 설정 가능한 덤프 종료
  • 외적인 ZQ 패드를 통해 DS/ODT 임피던스 정확성을 위한 ZQ 캘리브레이션 (240 ohm ±1%)
  • MR 설정을 통해 레벨링을 작성
  • MPR을 통해 레벨링을 읽는다
제품 이미지
NT5CB128M16JR-FL 고속 자동차 DDR3 SDRAM 메모리 IC 칩 2GB BGA96 패키지 0
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네, 모든 제품은 원본입니다, 새로운 원본 수입은 우리의 목적입니다.
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연락처 세부 사항
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